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Einrichtungen >> Technische Fakultät (TF) >> Department Elektrotechnik-Elektronik-Informationstechnik (EEI) >>

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

 

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten

AWA; 4 SWS; n.V.
  Frey, L.  
 

Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie

SEM; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Anmeldung über StudOn; Di, 14:15 - 15:45, 0.111, (außer Di 23.1.2018); Einzeltermin am 23.1.2018, 13:50 - 16:10, 0.111
WPF ME-MA-SEM-EEI 3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-BA-SEM 3-6
Scharin-Mehlmann, M.  
 

Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr]

VORL; 2 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Mi, 8:15 - 9:45, 0.111
  Jank, M.  
 

Exkursion "Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente"

EX; 1 SWS; Schein; Zeit und Raum n.V.
  Matthus, Ch.D.  
 

Forschungspraktikum am LEB

SL; Schein; ECTS: 5; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <link wird noch eingefügt>; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <Link wird noch eingefügt>
  Dirnecker, T.  
 

Halbleiterbauelemente

VORL; 2 SWS; ECTS: 5; Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente; Mo, 14:15 - 15:45, H9; Einzeltermin am 18.10.2017, 12:15 - 13:45, H9; bis zum 29.1.2018
WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
PF WING-BA-IKS 5
WPF MT-BA-BV ab 5
Frey, L.  
 

Tutorium Halbleiterbauelemente

TUT; 2 SWS; Mi, 14:15 - 15:45, HG; Erster Termin: 13.12.2017
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF WING-BA-IKS 5
Stolzke, T.  
 

Übungen zu Halbleiterbauelemente

UE; 2 SWS; Mi, 12:15 - 13:45, H9; Einzeltermin am 5.2.2018, 14:15 - 15:45, H9; ab 25.10.2017
WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF WING-BA-IKS 5
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
WPF MT-BA ab 5
Stolzke, T.  
 

Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES]

SEM; ben. Schein; ECTS: 2,5; Fr, 14:15 - 15:45, 0.111; Bitte beachten Sie den Termin zur Vorbesprechung; Vorbesprechung: 20.10.2017, 15:00 - 15:30 Uhr, 0.111
  Niebauer, M.
Dirnecker, T.
 
 

Kolloquium zur Halbleitertechnologie und Messtechnik

KO; 1 SWS; Mo, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Siehe Vortragsliste auf der Homepage des LEB.
  Bauer, A.  
 

Leistungshalbleiterbauelemente

VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Di, 12:15 - 13:45, 0.111
WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF EEI-MA-EuA 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3
Erlbacher, T.  
 

Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente

UE; 2 SWS; Mi, 12:15 - 13:45, 0.111
WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
WPF EEI-MA-EuA 1-4
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3
Albrecht, M.  
 

Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling

VORL; 2 SWS; Do, 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
WF EEI-MA ab 1
WF ME-DH ab 7
WF AOT-GL ab 1
PF NT-MA 1
Erdmann, A.  
 

Übung zu Optical Lithography

UE; 2 SWS; Für Master AOT verpflichtende Zusatzveranstaltung, für andere Studiengänge freiwillig; Do, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Mo, 14:15 - 15:45, 0.157-115
WF AOT-GL ab 1
PF NT-MA 1
Erdmann, A.  
 

Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik

PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik; Blockveranstaltung 26.2.2018-2.3.2018 Mo-Fr, 8:00 - 16:00, 0.111; Blockveranstaltung 26.2.2018-2.3.2018 Mo-Do, 13:00 - 15:00, BR 1.161; Blockveranstaltung 27.2.2018-1.3.2018 Di-Do, 8:00 - 11:30, BR 1.161; Das Praktikum findet als Blockpraktikum in der Zeit vom 26.02. - 02.03.2018 statt. Anmeldung über StudOn; Vorbesprechung: 20.10.2017, 14:00 - 14:30 Uhr, 0.111
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 1-4
Niebauer, M.
u.a.
 
 

Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro]

PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar!!; Vorbesprechung: 19.10.2017, 14:00 - 14:45 Uhr, BR 1.161
WPF EEI-BA-MIK 5-6 Niebauer, M.  
     n.V.    Scharin-Mehlmann, M. 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
     n.V.    Frickel, J.
Glein, R.
 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
     n.V.    Beck, Ch. 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
     n.V.    Rasim, F.R. 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
 

Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente [Prak TeSi]

PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Hinweis: Das Praktikum wird im Wintersemester 2017/18 nicht angeboten; Zeit und Raum n.V.
WPF ME-MA-P-EEI 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA ab 1
Dirnecker, T.  
 

Reinraum- und Halbleiterpraktikum [RRPrak]

PR; 6 SWS; ECTS: 5; Teilnahme an der Vorbesprechung am 19.10. ist verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten donnerstags werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.
PF NT-BA 5 Marhenke, J.
Scharin-Mehlmann, M.
Dirnecker, T.
 
     Do8:00 - 11:00, 13:00 - 16:000.111  Matthus, Ch.D. 
     Do8:00 - 11:00, 13:00 - 16:00BR 1.161  Scharin-Mehlmann, M. 
     Do
Do
9:00 - 13:00
14:00 - 18:00
BR 1.161, 0.111
BR 1.161
  Matthus, Ch.D.
Scharin-Mehlmann, M.
 
 Findet u.a. im Reinraum des LEB statt. Gruppeneinteilung am Semesterbeginn.
 

Seminar über Bachelorarbeiten [Sem BA]

SEM; 2 SWS; ECTS: 2,5; Fr, 10:15 - 11:45, 0.111
  Dirnecker, T.  
 

Seminar über Masterarbeiten (Sem MA)

SEM; 2 SWS; Fr, 12:15 - 13:45, 0.111; (Termine werden bekannt gegeben und sind auf der Homepage des Lehrstuhls zu finden
  Matthus, Ch.D.  
 

Technik der Halbleiterfertigungsgeräte

VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Vorbesprechung in Seminarsaal 1 am Fraunhofer IISB, Schottkystr. 10
WF EEI-MA ab 1
WF EEI-BA ab 5
WPF ME-BA-MG10 3-6
WPF ME-MA-MG10 1-3
WF WW-DH-EL 7-13
Pfitzner, L.
Schmutz, W.
 
 

Technologie integrierter Schaltungen

VORL; 3 SWS; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Fr, 12:15 - 14:30, Hans-Georg-Waeber-Saal
WPF BPT-MA-E 1-3
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
Frey, L.  
 

Übung zu Technologie integrierter Schaltungen

UE; 1 SWS; Veranstaltung nach Absprache evtl. 14-tägig; erster Übungstermin am 23.10.; Mo, 8:15 - 9:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Die Übung findet 14-tägig als 2-stündige Veranstaltung statt. Der Beginn der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben,
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI ab 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3
Matthus, Ch.D.  
 

Technologie medizinischer Mikrosysteme

VORL; 2 SWS; ECTS: 2,5; zugehöriges Modul "Mikrosysteme der Medizintechnik" kann ab dem WS17/18 nicht mehr angeboten werden; Vorbesprechung: 17.10.2017, 8:15 - 9:45 Uhr, 0.111
WPF MT-MA-MEL ab 2 Dirnecker, T.  
 

Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb)

VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; in Kooperation mit Prof. Schmidt-Landsiedel (TU München), Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)
  Ryssel, H.
u.a.
 
 

Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen

VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 4; nach Vereinbarung (Kontakt: peter.pichler@iisb.fraunhofer.de)
WPF BPT-MA-E 1-3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
Pichler, P.  
 

Übung zu Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen

UE; 1 SWS; ben. Schein; Erster Termin der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben.
WPF BPT-MA-E 1-3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
Pichler, P.  


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