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Lehrveranstaltungsplan

Mo Di Mi Do Fr
08:00
08:00 - 11:00
RRPrak
(Dirnecker)
BR 1.161
08:00 - 11:00
RRPrak
(Marhenke)
0.111
09:00 - 13:00
RRPrak
(Assistenten)
BR 1.161, 0.111
10:15 - 11:45
Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling
(Erdmann)
08:15 - 09:45
Tutorium Halbleiterbauelemente
(Martens)
08:15 - 09:45
GedrElektr
(Jank)
0.111
08:15 - 09:45
Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente
(Stolzke)
09:00
10:00
10:15 - 11:45
Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen
(Pichler)
10:15 - 11:45
Sem BA
(Stolzke)
0.111
11:00
12:00
12:15 - 13:45
Seminar über Masterarbeiten (Sem MA)
(Dirnecker)
0.111
13:00
13:00 - 16:00
RRPrak
(Dirnecker)
BR 1.161
13:00 - 16:00
RRPrak
(Marhenke)
0.111
14:00 - 18:00
RRPrak
(Assistenten)
BR 1.161
16:15 - 17:45
Leistungshalbleiterbauelemente
(Erlbacher)
14:00
14:15 - 15:45
Übungen zu Halbleiterbauelemente
(Martens)
14:15 - 15:45
Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie
(Marhenke)
0.111
14:15 - 15:45
Halbleiterbauelemente
(Dirnecker)
15:00
16:00
16:15 - 17:45
Übung zu Optical Lithography
(Erdmann)
BR 1.161
17:00
17:15 - 18:00
Kolloquium zur Halbleitertechnologie und Messtechnik
(Bauer)
Hans-Georg-Waeber-Saal

Überschneidung: Mi von 08:15 bis 09:45
Überschneidung: Do von 08:00 bis 11:00
Überschneidung: Do von 09:00 bis 11:00
Überschneidung: Do von 09:00 bis 11:00
Überschneidung: Do von 10:15 bis 11:00
Überschneidung: Do von 10:15 bis 11:00
Überschneidung: Do von 10:15 bis 11:45
Überschneidung: Do von 13:00 bis 16:00
Überschneidung: Do von 14:00 bis 16:00
Überschneidung: Do von 14:00 bis 16:00
Überschneidung: Do von 16:15 bis 17:45

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