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Halbleiterbauelemente (HBE V(A))- Dozentinnen/Dozenten
- Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze, Jan Dick, M. Sc.
- Angaben
- Vorlesung
Präsenz
2 SWS, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 5, Sprache Deutsch, !Bitte beachten!: In beiden ersten Vorlesungswochen finden zusätzliche Vorlesungstermine zum regulären Termin der Übung (Mo., 18.10. & 25.10.) statt. lbleiterbauelemente statt! Die Übungseinheiten werden am Ende des Semesters nachgeholt.
Zeit und Ort: Di 14:15 - 15:45, H5
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF MT-MA-MEL ab 1 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-BA 3 (ECTS-Credits: 5)
PF BPT-BA-E 3 (ECTS-Credits: 5)
PF BPT-MA-M-E ab 1 (ECTS-Credits: 5)
WPF MT-BA-BV ab 5
PF ME-BA 5 (ECTS-Credits: 5)
- Voraussetzungen / Organisatorisches
- Zur Vorlesung wird eine Übung (2 SWS) sowie ein Tutorium angeboten.
Informationen zu diesen Veranstaltungen finden Sie im Informationssystem UnivIS.
- Inhalt
- Die Vorlesung Halbleiterbauelemente vermittelt den Studenten der Elektrotechnik die physikalischen Grundlagen moderner Halbleiterbauelemente. Der erste Teil der Vorlesung befasst sich nach einer Einleitung mit Bewegungsgleichungen von Ladungsträgern im Vakuum sowie der Ladungsträgeremission im Vakuum und daraus abgeleiteten Bauelementen. In der anschließenden Behandlung von Ladungsträgern im Halbleiter werden die wesentlichen Aspekte der Festkörperphysik zusammengefasst, die zum Verständnis moderner Halbleiterbauelemente nötig sind. Darauf aufbauend werden im Hauptteil der Vorlesung die wichtigsten Halbleiterbauelemente, d.h. Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren detailliert dargestellt. Einführungen in die wesentlichen Grundlagen von Leistungsbauelementen und optoelektronischen Bauelementen runden die Vorlesung ab.
(automatisch geplant, erwartete Hörerzahl original: 82, fixe Veranstaltung: nein)
- Empfohlene Literatur
- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich
Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 2nd ed., McGraw-Hill (Richard D. Irwin, Inc., Burr Ridge), USA, 1997 Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik: Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, 7. Auflage, Springer Verlag, Berlin, 1995
- ECTS-Informationen:
- Title:
- Semiconductor Devices
- Credits: 5
- Prerequisites
- none
- Contents
- Semiconductor Devices is a lecture on the physical foundations of modern semiconductor devices especially for electrical
engineering students. Following a brief introduction, the equations of motion of charged carriers in vacuum as well as the
emission of charge carriers in vacuum are described together with vacuum devices. Next, charge carriers in semiconductors are
discussed: The essential aspects of solid state physics, basic prerequisites to an understanding of modern semiconductor
devices, are summarized. On this basis, the principal semiconductor devices such as diodes, bipolar transistors and FETs are
presented in detail. Introductions to the basics of power devices and opto-electronic devices complete the lecture.
- Literature
- lecture script (available at Chair of Electron Devices / available in course)
Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 2nd ed., McGraw-Hill (Richard D. Irwin, Inc., Burr Ridge), USA, 1997 Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik: Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, 7. Auflage, Springer Verlag, Berlin, 1995
- Zusätzliche Informationen
- Schlagwörter: Bauelemente, Halbleiter
Erwartete Teilnehmerzahl: 108
www: https://www.leb.tf.fau.de/
- Zugeordnete Lehrveranstaltungen
- TUT ([präsenz]):Tutorium Halbleiterbauelemente
-
Dozent/in: Jan Dick, M. Sc.
Zeit und Ort: Mi 12:15 - 13:45, H5; Bemerkung zu Zeit und Ort: Erster Termin: wird noch bekanntgegeben
- UE ([präsenz]):Übungen zu Halbleiterbauelemente
-
Dozentinnen/Dozenten: Jan Dick, M. Sc., Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze
Zeit und Ort: Fr 14:15 - 15:45, H5
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2022/2023:
- Halbleiterbauelemente (HBE)
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
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