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Chemie (Master of Science) >>
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Halbleiterbauelemente (HBEL-V)- Dozent/in
- Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
- Angaben
- Vorlesung
2 SWS
für Anfänger geeignet, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Mi 16:15 - 17:45, H6; Einzeltermin am 18.4.2018 10:15 - 11:45, H5; Bemerkung zu Zeit und Ort: Hinweis: zusätzlicher Vorlesungstermin in der zweiten Vorlesungswoche (18.04.), dafür am Ende des Semesters ein zusätzlicher Übungstermin!
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WF MS-MA ab 1
PF ME-BA 4
WPF MT-MA-MEL ab 1
WPF MT-BA-BV ab 5
WF C-MA ab 1
WF MWT-MA-TS ab 1
PF BPT-MA-M-E ab 1
- Voraussetzungen / Organisatorisches
- Unterlagen zur Vorlesung über StudOn erhältlich
- Inhalt
- Die Vorlesung Halbleiterbauelemente vermittelt den Studenten der Elektrotechnik die physikalischen Grundlagen moderner Halbleiterbauelemente. Der erste Teil der Vorlesung befasst sich nach einer Einleitung mit Bewegungsgleichungen von Ladungsträgern im Vakuum sowie der Ladungsträgeremission im Vakuum und daraus abgeleiteten Bauelementen. In der anschließenden Behandlung von Ladungsträgern im Halbleiter werden die wesentlichen Aspekte der Festkörperphysik zusammengefasst, die zum Verständnis moderner Halbleiterbauelemente nötig sind. Darauf aufbauend werden im Hauptteil der Vorlesung die wichtigsten Halbleiterbauelemente, d.h. Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren detailliert dargestellt. Einführungen in die wesentlichen Grundlagen von Leistungsbauelementen und optoelektronischen Bauelementen runden die Vorlesung ab.
- Empfohlene Literatur
- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich
Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 2nd ed., McGraw-Hill (Richard D. Irwin, Inc., Burr Ridge), USA, 1997 Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik: Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, 7. Auflage, Springer Verlag, Berlin, 1995
- ECTS-Informationen:
- Title:
- Semiconductor Devices
- Contents
- Semiconductor Devices is a lecture on the physical foundations of modern semiconductor devices especially for electrical engineering students. Following a brief introduction, the equations of motion of charged carriers in vacuum as well as the emission of charge carriers in vacuum are described together with vacuum devices. Next, charge carriers in semiconductors are discussed: The essential aspects of solid state physics, basic prerequisites to an understanding of modern semiconductor devices, are summarized. On this basis, the principal semiconductor devices such as diodes, bipolar transistors and FETs are presented in detail. Introductions to the basics of power devices and opto-electronic devices complete the lecture.
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 94
- Zugeordnete Lehrveranstaltungen
- TUT: Tutorium Halbleiterbauelemente
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Dozent/in: Assistenten
Zeit und Ort: Mi 12:15 - 13:45, R4.15; Bemerkung zu Zeit und Ort: 1. Termin nach Absprache ab Mitte des Semesters
- UE: Übungen zu Halbleiterbauelemente
-
Dozent/in: Tobias Stolzke, M. Sc.
Zeit und Ort: Mi 10:15 - 11:45, H5; Bemerkung zu Zeit und Ort: Übung startet am 25.04.
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2017/2018:
- Nanoelektronik (CE6)
- Startsemester SS 2018:
- Halbleiterbauelemente (HBEL)
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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