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Nanotechnologie (Bachelor of Science) >>
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Nano IV: Halbleiter (Nano IV)- Dozent/in
- Dr.-Ing. Tobias Dirnecker, Akad. ORat
- Angaben
- Vorlesung
2 SWS, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch, Veranstaltung für Studiengang Nanotechnologie
Zeit und Ort: Do 14:15 - 15:45, R4.15 (außer Do 5.7.2018); Einzeltermin am 5.7.2018 12:15 - 13:45, 0.111
- Studienfächer / Studienrichtungen
- PF NT-BA 4
- Inhalt
- Ladungsträgerkonzentrationen im intrinsischen (undotierten) und dotierten Halbleiter
Transporteigenschaften (Drift, Diffusion) von Ladungsträgern im Halbleiter Funktionsweise von Halbleiterbauelementen (Dioden, Feldeffekttransistoren) Überblick über die wichtigsten Prozessschritte zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
- Empfohlene Literatur
- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich
R. Müller: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, Springer-Verlag, Berlin, 2002 D.A. Neamen: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, McGraw-Hill (Richard D. Irwin Inc.), 2002 D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technology of Integrated Circuits, Springer Verlag, 2000
- ECTS-Informationen:
- Credits: 2,5
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 55, Maximale Teilnehmerzahl: 100
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2017/2018:
- Grundlagen der Nanotechnologie II (B8)
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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