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Chemie (Master of Science) >>
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Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik- Dozentinnen/Dozenten
- Michael Niebauer, M. Sc., u.a.
- Angaben
- Praktikum
3 SWS, Schein, Anwesenheitspflicht, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch, Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik
Zeit und Ort: Blockveranstaltung 26.2.2018-2.3.2018 Mo-Fr 8:00 - 16:00, 0.111; Blockveranstaltung 26.2.2018-2.3.2018 Mo-Do 13:00 - 15:00, BR 1.161; Blockveranstaltung 27.2.2018-1.3.2018 Di-Do 8:00 - 11:30, BR 1.161; Bemerkung zu Zeit und Ort: Das Praktikum findet als Blockpraktikum in der Zeit vom 26.02. - 02.03.2018 statt. Anmeldung über StudOn
Vorbesprechung: 20.10.2017, 14:00 - 14:30 Uhr, Raum 0.111
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 1-4
- Inhalt
- Im Praktikum zur Halbleiter- und Bauelementemesstechnik wird ein Teil der in der gleichnamigen Vorlesung besprochenen Messverfahren praktisch durchgeführt. Zu Beginn des Praktikums wird die Relevanz der Messtechnik zur Prozesskontrolle aber auch in der Bauelementeentwicklung anhand eines typischen CMOS-Prozesses erläutert. Im Bereich Halbleitermesstechnik werden dann Versuche zur Scheibeneingangskontrolle, zu optischen Schichtdicken- und Strukturbreitenmessverfahren, sowie zur Profilmesstechnik durchgeführt. Im Bereich Bauelementemesstechnik werden MOS-Kondensatoren und MOS-Transistoren, Dioden, Widerstände und spezielle Teststrukturen elektrisch charakterisiert.
- Empfohlene Literatur
- Frey, L., Halbleiter- und Bauelementemesstechnik, Skript zur gleichnamigen Vorlesung (am Lehrstuhl erhältlich).
- ECTS-Informationen:
- Title:
- Laboratory on Semiconductor and Device Metrology
- Credits: 2,5
- Prerequisites
- Prerequisite lectures:
Semiconductor and Device Measurement Techniques
or Technology of Silicon Semiconductor Devices
- Contents
- In the practical lab course in semiconductor and device metrology, some of the measurement techniques discussed in the
lecture of the same name will be performed. At the beginning of the course the relevance of metrology for process control as
well as for device development is illustrated by way of example of a typical CMOS process. In the field of semiconductor
metrology, experiments will be performed in the areas of wafer material control, optical film thickness and linewidth
measurement techniques, and profile metrology. In the field of device caracterization, MOS capacitors and MOS transistors,
diodes, resistors, and special test structures are electrically characterized.
- Literature
- Semiconductor and Device Metrology / Practical Term, lecture script (available at Chair of Electron Devices / available in course)
Frey, L.: Halbleiter- und Bauelementemeßtechnik, lecture script (available at Chair of Electron Devices / available in course)
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 15
Für diese Lehrveranstaltung ist eine Anmeldung erforderlich.
Die Anmeldung erfolgt über: StudOn
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2017/2018:
- Nanoelektronik (CE6)
- Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik (PrHB)
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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