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Chemie (Master of Science) >>
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Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik (Prak HLMT)- Dozent/in
- Michael Niebauer, M. Sc.
- Angaben
- Praktikum
3 SWS, Schein, Anwesenheitspflicht, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch, Weitere Informationen im StudOn-Bereich:
Zeit und Ort: n.V.; Bemerkung zu Zeit und Ort: Durchführung ggf. als Blockpraktikum in den Semesterferien
Vorbesprechung: 13.4.2018, 10:00 - 10:30 Uhr, Raum 0.111
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 2-3
- Inhalt
- Im Praktikum zur Halbleiter- und Bauelementemesstechnik wird ein Teil der in der gleichnamigen Vorlesung besprochenen Messverfahren praktisch durchgeführt. Zu Beginn des Praktikums wird die Relevanz der Messtechnik zur Prozesskontrolle aber auch in der Bauelementeentwicklung anhand eines typischen CMOS-Prozesses erläutert. Im Bereich Halbleitermesstechnik werden dann Versuche zur Scheibeneingangskontrolle, zu optischen Schichtdicken- und Strukturbreitenmessverfahren, sowie zur Profilmesstechnik durchgeführt. Im Bereich Bauelementemesstechnik werden MOS-Kondensatoren und MOS-Transistoren, Dioden, Widerstände und spezielle Teststrukturen elektrisch charakterisiert.
- Empfohlene Literatur
- Dieter K. Schroder: Semiconductor Material and Devices Characterization, Wiley-IEEE, 2006
W.R. Runyan, T.J. Shaffner: Semiconductor Measurements and Instrumentations, McGraw-Hill, 1998 A.C. Diebold: Handbook of Silicon Semiconductor Metrology, CRC, 2001
- ECTS-Informationen:
- Title:
- Laboratory on Semiconductor and Device Metrology
- Credits: 2,5
- Prerequisites
- Prerequisite lectures:
Semiconductor and Device Measurement Techniques
or Technology of Silicon Semiconductor Devices
- Contents
- In the practical lab course in semiconductor and device metrology, some of the measurement techniques discussed in the
lecture of the same name will be performed. At the beginning of the course the relevance of metrology for process control as
well as for device development is illustrated by way of example of a typical CMOS process. In the field of semiconductor
metrology, experiments will be performed in the areas of wafer material control, optical film thickness and linewidth
measurement techniques, and profile metrology. In the field of device caracterization, MOS capacitors and MOS transistors,
diodes, resistors, and special test structures are electrically characterized.
- Literature
- Semiconductor and Device Metrology / Practical Term, laboratory documents (available at Chair of Electron Devices / available in course)
Dieter K. Schroder: Semiconductor Material and Devices Characterization, Wiley-IEEE, 2006 W.R. Runyan, T.J. Shaffner: Semiconductor Measurements and Instrumentations, McGraw-Hill, 1998 A.C. Diebold: Handbook of Silicon Semiconductor Metrology, CRC, 2001
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 6
www: https://www.studon.fau.de/crs2139907.html
Für diese Lehrveranstaltung ist eine Anmeldung erforderlich.
Die Anmeldung erfolgt von Montag, 26.3.2018, 10:00 Uhr bis Sonntag, 8.4.2018, 23:59 Uhr über: StudOn.
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2017/2018:
- Nanoelektronik (CE6)
- Startsemester SS 2018:
- Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik (PrHB)
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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