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Halbleitertechnologie I - Technologie integrierter Schaltungen (HLT I - TiS V(AR))- Dozentinnen/Dozenten
- Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze, Jannik Schwarberg, M. Sc.
- Angaben
- Vorlesung
3 SWS, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Mo 10:15 - 12:45, 0.111
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF BPT-MA-E 1-3
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
PF INF-NF-EEI 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
- Inhalt
- Thema der Vorlesung sind die wesentlichen Technologieschritte zur Herstellung elektronischer Halbleiterbauelemente
und integrierter Schaltungen. Der erste Teil der Vorlesung beginnt mit der Herstellung von einkristallinen Siliciumkristallen. Anschließend werden die
physikalischen Grundlagen der Oxidation, der Dotierungsverfahren Diffusion und Ionenimplantation sowie der
chemischen Gasphasenabscheidung von dünnen Schichten behandelt. Ergänzend dazu werden Ausschnitte aus
Prozessabläufen, wie sie heute bei der Herstellung von hochintegrierten Schaltungen wie Mikroprozessoren oder
Speicher verwendet werden, dargestellt und anhand von Bauelementen (Kondensator, Diode und Transistor) wichtige
Prozessparameter und Bauelementeeigenschaften erläutert.
(automatisch geplant, erwartete Hörerzahl original: 17, fixe Veranstaltung: nein)
- ECTS-Informationen:
- Title:
- Technology of Integrated Circuits
- Credits: 5
- Prerequisites
- none
- Contents
- The lecture discusses the fundamental processing steps for manufacturing semiconductor devices and integrated circuits. In the
first part, the production of monocrystalline silicon crystals is described. Then, oxidation, and the doping processes diffusion
and ion implantation as well as the deposition of thin insulating and conducting films are presented. Additionally, process
sequences used in the fabrication of today's ULSI-ICs such as microprocessors and memory modules are described as well as
the impact of process parameters on electron device characteristics.
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 12
- Zugeordnete Lehrveranstaltungen
- UE: Übung zu Halbleitertechnologie I - Technologie integrierter Schaltungen
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Dozentinnen/Dozenten: Jannik Schwarberg, M. Sc., Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze
Zeit und Ort: Mo 13:00 - 13:45, 0.111
www: https://www.studon.fau.de/crs3991754.html
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2022/2023:
- Halbleitertechnologie I – Technologie integrierter Schaltungen (HLT I - TiS)
- Technologie integrierter Schaltungen (TIS)
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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