In einer Einleitung werden kurz die Methoden der Herstellung (vgl. Technologie integrierter Schaltungen) vorgestellt. Die für Mikroprozessoren und Logikschaltungen wichtige CMOS-Technik wird im Anschluss daran ausführlich behandelt, gefolgt von der Bipolartechnik und der BiCMOS-Technik, bei der sowohl CMOS, als auch Bipolarschaltungen auf einem Chip integriert werden. Der nächste Vorlesungsabschnitt widmet sich den statischen und dynamischen Speichern, hier werden sowohl die wichtigsten Speicherarten (DRAM, SRAM, EPROM, Flash) vorgestellt, als auch die notwendigen Technologieschritte. Ein kurzes Kapitel befasst sich mit dem Aufbau von Leistungsbaulelementen. Die Problematik der Metallisierung sowie die Aufbau- und Verbindungstechnik, die für alle Bauelemente ähnlich ist, wird im Anschluss behandelt. Das letzte Kapitel beinhaltet Aspekte zur Ausbeute und Zuverlässigkeit von Bauelementen.

Title:

Process Integration and Device Architecture

Credits: 5

Prerequisites

none

Contents

After a brief overview of fundamental processing steps for manufacturing semiconductor devices and integrated circuits, the CMOS technique is explained in detail. Afterwards, the bipolar and the BiCMOS techniques are introduced. The latter integrates both bipolar and CMOS devices on one chip. The next topic deals with the main kinds of static and dynamic memories, like DRAM, SRAM, EPROM or flash memories. A short chapter is dedicated to the architecture of power devices. The following topics, metallization, assembly and packaging technology, describe all steps from a processed silicon wafer to a packaged microchip. Important aspects of IC fabrication yield and circuit reliability will be discussed as final topic of the lecture.

EX: Exkursion Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente

Dozent/in: Assistenten
Zeit und Ort: n.V.; Bemerkung zu Zeit und Ort: Wird in den Veranstaltungen des Lehrstuhls bekannt gegeben

UE: Übungen zu Prozessintegration und Bauelementearchitekturen

Dozent/in: Michael Niebauer, M. Sc.
Zeit und Ort: Mi 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal, 0.111