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  Leistungselektronik (LEE-LE-V(A))

Dozent/in
Prof. Dr.-Ing. Martin März

Angaben
Vorlesung
Präsenz
2 SWS, benoteter Schein, Kredit: 4/4, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Di 10:15 - 11:45, H9; Bemerkung zu Zeit und Ort: Bitte Informieren Sie sich im zugehörigen Studon-Kurs über den tatsächlichen Veranstaltungsort und die Informationen zur Online-Lehre

Studienfächer / Studienrichtungen
WPF WING-BA-ET-EN 5 (ECTS-Credits: 5)
WPF WING-BA-IKS-ING-MG9 5-6 (ECTS-Credits: 5)
WPF WING-MA 1-3 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-BA-AET 5-6 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-MA-EuA 1-4 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-MA-AET 1-4 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-MA-AUT 1-4 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-MA-LE 1-4 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-BA-AUT 5-6 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-BA-EuA 5-6 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-BA-LE 5-6 (ECTS-Credits: 5)
WPF ME-BA-MG3 3-6 (ECTS-Credits: 5)
WPF ME-MA-MG3 1-3 (ECTS-Credits: 5)
PF ET-MA-EET ab 1 (ECTS-Credits: 5)
WPF ET-BA ab 5 (ECTS-Credits: 5)
WPF MT-BA-BV 5 (ECTS-Credits: 5)
WF BPT-MA-E 1-3 (ECTS-Credits: 5)

Inhalt
Grundlagen der Topologieanalyse: Stationaritätsbedingungen, Strom-Spannungsformen, verbotene Schalthandlungen
Nicht-isolierende Gleichspannungswandler: Grundlegende Schaltungstopologien, Funktionsweise, Dimensionierung
Isolierende Gleichspannungswandler: Grundlegende Schaltungstopologien, Gleichrichterschaltungen, Transformatoren als Übertrager bzw. Energiespeicher
Leistungshalbleiter: Grundlagen des statischen und dynamischen Verhaltens von MOSFET, IGBT und Dioden; Spezifika von WBG-Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN); Kommutierungsarten; Kurzschluss, Avalanche
Passive Leistungsbauelemente: Induktive Bauelemente (weichmagnetische Kernmaterialien, nichtlineare Eigenschaften, Kernverluste, Wicklungsverluste); Kondensatoren (Technologien und deren Anwendungseigenschaften, sicherer Arbeitsbereich, Brauchbarkeitsdauer, Impedanzverhalten)
Parasitäre Elemente: Niederinduktive Aufbautechniken
Treiber- und Ansteuerschaltungen für Leistungshalbleiter: Grundschaltungen zur Ansteuerung MOS-gesteuerter Bauelemente mit und ohne galvanische Isolation, Schaltungen zur Erhöhung von Störabstand und Treiberleistung, Ladungspumpe, Schutzbeschaltungen, Strommessung, PWM-Modulatoren
Gleichrichter und Leistungsfaktorkorrektur: Phasenan-/abschnittsteuerung, Netzstromverzerrungen, aktive Leistungsfaktorkorrektur, Gleichrichterschaltungen
Wechselrichter: Netzgeführte Stromrichter, Zwei-/Dreipunktwechselrichter, Sinus-Dreieck- und Raumzeigermodulation

Die Studierenden können

  • die Funktionsprinzipien leistungselektronischer Basistopologien mit und ohne galvanische Isolation erklären,

  • einfache leistungselektronische Wandler analysieren und die für ein Systemdesign relevanten elektrischen und thermischen Parameter berechnen,

  • die grundlegenden Eigenschaften verschiedener Schaltungslösungen erklären und diskutieren,

  • die Vor- und Nachteile verschiedener Bauteiltechnologien in einer leistungselektronischen Schaltung bewerten,

  • einfache leistungselektronische Wandler entwerfen.

(automatisch geplant, erwartete Hörerzahl original: 86, fixe Veranstaltung: nein)

Empfohlene Literatur
Skript

ECTS-Informationen:
Credits: 5

Zusätzliche Informationen
Erwartete Teilnehmerzahl: 69, Maximale Teilnehmerzahl: 200
www: https://www.lee.tf.fau.de/

Zugeordnete Lehrveranstaltungen
TUT ([präsenz]):Leistungselektronik Tutorium
Dozentinnen/Dozenten: Madlen Hoffmann, M. Sc., M.Sc. Stefanie Büttner
www: https://www.studon.fau.de/studon/goto.php?target=cat_1621954&client_id=StudOn
UE ([hybrid]):Übungen zu Leistungselektronik
Dozentinnen/Dozenten: Prof. Dr.-Ing. Martin März, Madlen Hoffmann, M. Sc.
Zeit und Ort: Mo 12:15 - 13:45, H14

Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
Startsemester WS 2022/2023:
Leistungselektronik (LEE-LE-V)

Institution: Lehrstuhl für Leistungselektronik
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