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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie- Dozent/in
- Prof. Dr.-Ing. Peter Wellmann
- Angaben
- Vorlesung
2 SWS, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 3
nur Fachstudium, Sprache Deutsch, englisches Skript
Zeit und Ort: Di 14:15 - 15:45, 3.71
ab 25.10.2016
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF MWT-MA-WET ab 1 (ECTS-Credits: 3)
WPF ET-MA-MWT ab 1 (ECTS-Credits: 3)
WPF NT-MA ab 1 (ECTS-Credits: 3)
- Voraussetzungen / Organisatorisches
- WW Prüfung Nr. 6 / Prüfung: mündlich
- Inhalt
- Halbleitertechnologie I
In dieser Vorlesung werden die Grundlagen der Kristallzüchtung elektronischer Materialien und die wichtigsten Verfahren zur Herstellung von elektronischen Halbleiterbauelementen aus Silizium besprochen. Die wesentlichen Techniken betreffen dabei die Kristallzüchtung aus der Schmelze, die Hertellung von Halbleiterscheiben, die Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, die Oxidation von Si zu SiO2, sowie die Metallisierung. Weiterhin werden die Grundprinzipien der lateralen Strukturierung mithilfe der Photolithographie und Ätztechniken besprochen.
- Empfohlene Literatur
- S.M. Sze; Semiconductor Devices – Physics and Technology (14 x T80/8S58(2))
- ECTS-Informationen:
- Title:
- Fundamentals of Semiconductor technology
- Credits: 3
- Prerequisites
- WW Test No. 6 / oral
- Contents
- Semiconductor Technology I
This course introduces the most important technologies which are used to fabricate electronic devices based on the semiconductor silicon.
The most important techniques to be discussed are doping by diffusion and ion implantation, oxidation of Si to SiO2, as well as metallization.
A further important topic is the planar technology, as photolithography and etching techniques.
- Literature
- K. Schade:"Mikroelektroniktechnologie" Verlag Technik Berlin (1991)
Widmann, Mader; Friedrich:"Technologie hochintegrierter Schaltungen, Springer Verlag (1996)
A.S. Grove:"Physics and Technology of Semiconductor devices, John Wiley (1976)
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 15, Maximale Teilnehmerzahl: 25
www: http://www.studon.uni-erlangen.de/studon/goto.php?target=crs_359146
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2016/2017:
- Crystal Growth ET (MWT 3) (CGET)
- Crystal Growth MWT (M2 - M3) (CGMWT)
- Halbleitertechnologie (CE5)
- Kristallzüchtung und Halbleitertechnologie (CG-NT)
- Materialien der Elektronik und Energietechnik mit Vertiefung Crystal Growth (M1_CG_WW6)
- Institution: Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Materialien der Elektronik und der Energietechnologie)
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