Crystal Growth ET (MWT 3) (CGET)10 ECTS
(englische Bezeichnung: Crystal growth ET)
(Prüfungsordnungsmodul: Crystal Growth ET (MWT 3))

Lehrveranstaltungen:

• • Crystal Growth 1 - Fundamentals of Crystal Growth and Semiconductor Technology (WS 2020/2021)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, jeden Monat am 2. Mo, 14:15 - 15:00, Zoom-Meeting; ab 9.11.2020; https://fau.zoom.us/j/94576058631?pwd=QVBOK0N4cVp3cmM1WHdsdUlkUGY3dz09; Vorbesprechung: 9.11.2020, 14:15 - 15:00 Uhr, Zoom-Meeting)
  • Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2020/2021)
    (Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; Hinweis: Das Praktikum findet erst im SS2020 statt)
  • Crystal Growth 2 - Electronic Devices & Materials Properties/Processing, Epitaxial Growth (SS 2021)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann)
• Wahlvorlesungen

  Aus den optionalen Wahlveranstaltungen kann eine Vorlesung gewählt werden, die mit 1 ECTS in das Modul eingeht.

  • Crystal Growth 2 - Wide Bandgap Semiconductors (SS 2021 - optional)
    (Vorlesung, 1 SWS)
  • Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2020/2021 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, Raum n.V.; Ohne Präsenz! Lifestream per Zoom - weitere Infos finden Sie auf StudOn: https://www.studon.fau.de/crs3321647_join.html)
  • Crystal Growth - Numerical Simulation of the Crystal Growth Process using COMSOL Multi-Physics (SS 2021 - optional)
    (Vorlesung mit Übung, 5 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)

Empfohlene Voraussetzungen:

Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.

Inhalt:

• Grundlagen des Kristallwachstums

• Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
  

• Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften

• Grundlagen Epitaxie
  

• Czochralski Kristallwachstum von InSb

• Halbleitercharakterisierung
  

• Computersimulation der Kristallzüchtung

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

• erwerben fundierte Kenntnisse über Materialeigenschaften und deren Anwendungen in elektronischen Bauelementen

• lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden

• können in Gruppen kooperativ und verantwortlich arbeiten

Literatur:

• S.M. Sze; Semiconductor Devices – Physics and Technology (14 x T80/8S58(2))
  

• P.J. Wellmann; Materialien der Elektronik und Energietechnik : Halbleiter, Graphen, funktionale Materialien; Springer Vieweg (2017), eBook ISBN 978-3-658-14006-9, DOI 10.1007/978-3-658-14006-9, Softcover ISBN 978-3-658-14005-2
  Buch: T80/10 T 19
  elektronisch: https://link.springer.com/book/10.1007%2F978-3-658-14006-9

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:

1. Energietechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2018w | TechFak | Energietechnik (Master of Science) | Gesamtkonto | Studienrichtung Materialwissenschaften und Werkstofftechnik | Modulgruppe Materialwissenschaften und Werkstofftechnik (MWT) | Wahlpflichtmodul Materialwissenschaften und Werkstofftechnik (MWT3) | Crystal Growth ET (MWT 3))

Studien-/Prüfungsleistungen:

Crystal Growth ET (MWT 3) (Prüfungsnummer: 991457)

(englischer Titel: Crystal growth ET)

Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

weitere Erläuterungen:
zusätzlich Absolvierung des Praktikums!
Alternative Prüfungsform laut Corona-Satzung: Die mündliche Prüfung findet als digitale Fernprüfung per ZOOM statt.

Erstablegung: WS 2020/2021, 1. Wdh.: SS 2021

1. Prüfer:

Peter Wellmann

Termin: 11.02.2021