Praktikum Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente (PrTESI)2.5 ECTS
(englische Bezeichnung: Laboratory on Silicon Semiconductor Processing)
(Prüfungsordnungsmodul: Laborpraktikum Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente)

Lehrveranstaltungen:

• • Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente
    (Praktikum, 3 SWS, Anwesenheitspflicht, Tobias Dirnecker)

Empfohlene Voraussetzungen:

• Grundkenntnisse zu Halbleiterbauelementen

• Vorlesung Technologie Integrierter Schaltungen empfehlenswert
  

Inhalt:

Das Praktikum zur Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente vermittelt einen ersten praktischen Einstieg in die Halbleitertechnologie. Im Verlauf des Herstellungsprozesses einer Solarzelle werden die Herstellungsschritte Oxidation, Implantation, Lithographie, Ätzen und Metallisierung durchgeführt. Darüber hinaus werden wichtige Messverfahren zur Prozesskontrolle wie Schichtdickenmessverfahren, Schichtwiderstandsmessverfahren vorgestellt und zum Schluss die hergestellten Solarzellen an Hand ihrer Strom/Spannungs-Kennlinie elektrisch charakterisiert (Wirkungsgrad etc.).

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

Fachkompetenz

Verstehen

verstehen die Funktionsweise von Solarzellen

Anwenden

können typische Prozessgeräte und Methoden der Prozesskontrolle in einer Halbleiterfertigung erklären

Analysieren

sind in der Lage, verschiedene Technologieschritte hinsichtlich ihrer Vor- und Nachteile zu analysieren

Lern- bzw. Methodenkompetenz

sammeln praktische Erfahrung im Umgang mit Halbleiterscheiben unter den besonderen Arbeitsbedingungen eines Reinraumes

Literatur:

Vorbereitende Literatur auf die Versuche:

• Praktikumsskript im StudOn-Kurs zum Praktikum

(siehe: www.studon.fau.de im Bereich "Angebote/5. Tech/ 5.2 EEI/Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente/Praktika/Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente)
Empfohlene begleitende Literatur:

• Skripten zu den Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (am Lehrstuhl erhältlich)

• Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994

Organisatorisches:

Teilnahme an den Vorbesprechungen und Versuchen erforderlich

Die Anwesenheit an den Versuchen ist verpflichtend, da der Kompetenzerwerb im Umgang mit Messgeräten und Software nur durch die Präsenz im Labor oder am entsprechenden Rechnerarbeitsplatz mit Spezialsoftware erlangt werden kann.

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:

1. Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2015s | TechFak | Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science) | Gesamtkonto | Studienrichtung Leistungselektronik | Hauptseminar und Laborpraktikum Leistungselektronik | Laborpraktikum Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente)
2. Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2015s | TechFak | Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science) | Gesamtkonto | Studienrichtung Mikroelektronik | Hauptseminar und Laborpraktikum Mikroelektronik | Laborpraktikum Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Laborpraktikum Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente (Prüfungsnummer: 77301)

Studienleistung, Praktikumsleistung, unbenotet

weitere Erläuterungen:

• Bestehen der Versuchsvortestate (Diskussion der Versuchsinhalte, ca. 45 Min, SL)
  

• Anfertigung von Versuchsprotokollen (Zusammenfassung der wesentlichen Ergebnisse der Vorbesprechung und Versuchsdurchführung, Umfang ca. 6-8 Seiten, PL)
  

• Bestehen des Abschlusstestats (Zusammenfassende Diskussion der Versuchsergebnisse, ca. 90 min, SL)
  

Erstablegung: WS 2020/2021, 1. Wdh.: SS 2021

1. Prüfer:

Tobias Dirnecker