Technologie integrierter Schaltungen (TIS)5 ECTS
(englische Bezeichnung: Technology of Integrated Circuits)
(Prüfungsordnungsmodul: Technologie integrierter Schaltungen)

Lehrveranstaltungen:

• • Halbleitertechnologie I - Technologie integrierter Schaltungen
    (Vorlesung, 3 SWS, Jörg Schulze et al., Mo, 10:15 - 12:45, 0.111)
  • Übung zu Halbleitertechnologie I - Technologie integrierter Schaltungen
    (Übung, 1 SWS, Jannik Schwarberg et al., Mo, 13:00 - 13:45, 0.111)

Empfohlene Voraussetzungen:

Kenntnisse aus dem Bereich Halbleiterbauelemente (Pflichtveranstaltung im Bachelorstudiengang EEI und Mechatronik)

Inhalt:

In diesem Modul werden die wesentlichen Technologieschritte zur Herstellung elektronischer Halbleiterbauelemente und integrierter Schaltungen behandelt.
Ausgehend von der Frage nach den relevanten Parametern chemischer und physikalischer Herstellungsprozesse werden zu Beginn die Verfahren und Methoden zur Herstellung von einkristallinen Siliziumkristallen besprochen. Anschließend werden die physikalischen und chemischen Grundlagen der Oxidation, der Dotierverfahren Diffusion und Ionenimplantation sowie der physikalischen und chemischen Gasphasenabscheidung von dünnen Schichten behandelt. Eine Einführung in die relevanten Lithographie- und Strukturierungsverfahren beendet den Kanon der wesentlichen Technologieschritte zur Herstellung elektronischer Halbleiterbauelemente. Ergänzend dazu werden Sequenzen von Prozessabläufen, wie sie heute bei der Herstellung von hochintegrierten Schaltungen wie Mikroprozessoren oder Speichern verwendet werden, besprochen.

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

Anwenden

• beschreiben die Technologieschritte und notwendigen Prozessgeräte

• erklären die physikalischen und chemischen Vorgänge bei der Herstellung von Integrierten Schaltungen

Evaluieren (Beurteilen)

• ermitteln en Einfluss von Prozessparametern und können Vorhersagen für Einzelprozesse ableiten

• sind in der Lage, verschiedene Herstellungsschritte hinsichtlich ihrer Vor- und Nachteile bzgl. der hergestellten Schichten, Strukturen oder Bauelemente zu beurteilen

Literatur:

• S. M. Sze: VLSI - Technology, MacGraw-Hill, 1988

• C. Y. Chang, S. M. Sze: ULSI - Technology, MacGraw-Hill, 1996

• D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technology of Integrated Circuits, Springer Verlag, 2000

• Hong Xiao: Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology, Prentice Hall, 2001
  

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:

1. Artificial Intelligence (Master of Science)
   (Po-Vers. 2021s | TechFak | Artificial Intelligence (Master of Science) | Gesamtkonto | Nebenfach | Nebenfach Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik | Mikroelektronik | Technologie integrierter Schaltungen)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Technologie integrierter Schaltungen (Prüfungsnummer: 61901)

(englischer Titel: Technology of Integrated Circuits)

Prüfungsleistung, Klausur, Dauer (in Minuten): 90, benotet, 5.0 ECTS

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

Erstablegung: WS 2022/2023, 1. Wdh.: SS 2023, 2. Wdh.: keine Wiederholung

1. Prüfer:

Jörg Schulze

Termin: 04.08.2022