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Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie
- Dozent/in
- Dipl.-Ing. Andreas Hürner
- Angaben
- Seminar
2 SWS, benoteter Schein, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Di 14:15 - 15:45, 0.111
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF ME-DH-SEM ab 6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-BA-SEM 3-6
- Inhalt
- Ziel des Seminars ist die selbstständige Erarbeitung und schlüssige Darstellung eines Themas aus dem Gebiet der Silicium-Halbleitertechnologie.
Als Grundlage dienen dabei Literaturvorgaben der Betreuer, die durch eigene Recherchen ergänzt werden sollen. Die Teilnehmer referieren im Rahmen eines 30-minütigen Vortrags über ihre Ergebnisse.
Die Einzelthemen werden in jedem Semester aus einem anderen Schwerpunkt gewählt. In den letzten Semestern wurden beispielsweise Schwerpunktthemen wie "Bauelementetechnologien", "Mikrosystemtechnik", "Kontamination in der Halbleiterelektronik" oder "Bauelemente-, Prozess- und Anlagensimulation" behandelt.
- Empfohlene Literatur
- Frey, L. und Ryssel, H.: Folien der Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (am Lehrstuhl erhältlich)
- ECTS-Informationen:
- Title:
- Seminar on Selected Topics of Silicon Semiconductor Technology
- Credits: 2,5
- Prerequisites
- none
- Contents
- The objective for the seminar is to elaborate and conclusively present one topic from the general area of silicon semiconductor
technology. The supervisors provide a fundamental selection of literature, the participants are then encouraged to expand this
by independent literature research. Each participant is to deliver a 30 minute report on his/her results. The individual topics are
chosen from a different area each semester. In past semesters focus was set on "Contamination in Semiconductor Electronics"
or "Electron Device, Process and Equipment Simulation", for instance.
- Literature
- Frey, L.: Technologie integrierter Schaltungen and Prozessintegration und Bauelementearchitekturen, lecture slides (available at Chair of Electron Devices)
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 10
www: http://www.studon.uni-erlangen.de/crs823092.html
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2013/2014:
- Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie
- Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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