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Modulverantwortliche/r: Lothar Frey
Lehrende:
Lothar Frey
Startsemester: |
WS 2013/2014 | Dauer: |
1 Semester |
Präsenzzeit: |
Std. | Eigenstudium: |
Std. | Sprache: |
Deutsch |
Lehrveranstaltungen:
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Technologie integrierter Schaltungen
(Vorlesung, 3 SWS, Lothar Frey, Mo, 12:00 - 14:15, Hans-Georg-Waeber-Saal)
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Übung zu Technologie integrierter Schaltungen
(Übung, 1 SWS, Sebastian Polster, Mo, 14:15 - 15:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Die Übung findet 14-tägig als 2-stündige Veranstaltung statt. Der Beginn der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben,)
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Exkursion "Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente" (optional)
(Exkursion, 1 SWS, Sebastian Polster, Zeit und Raum n.V.)
Empfohlene Voraussetzungen:
Kenntnisse aus dem Bereich Halbleiterbauelemente (Pflichtveranstaltung im Bachelorstudiengang EEI und Mechatronik)
Inhalt:
Thema der Vorlesung sind die wesentlichen Technologieschritte zur Herstellung elektronischer Halbleiterbauelemente und integrierter Schaltungen. Die Vorlesung beginnt mit der Herstellung von einkristallinen Siliciumkristallen. Anschließend werden die physikalischen Grundlagen der Oxidation, der Dotierungsverfahren Diffusion und Ionenimplantation sowie der chemischen Gasphasenabscheidung von dünnen Schichten behandelt. Ergänzend dazu werden Ausschnitte aus Prozessabläufen dargestellt, wie sie heute bei der Herstellung von hochintegrierten Schaltungen wie Mikroprozessoren oder Speicher verwendet werden.
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
lernen die Technologieschritte und notwendige Prozessgeräte kennen
erwerben Sachkenntnisse über die physikalischen und chemischen Vorgänge bei der Herstellung von Integrierten Schaltungen
können Vorhersagen für Einzelprozesse ableiten und den Einfluss von Prozessparametern erklären
sind in der Lage, verschiedene Herstellungsschritte hinsichtlich ihrer Vor- und Nachteile bzgl. der hergestellten Schichten, Strukturen oder Bauelemente zu beurteilen
Literatur:
- S. M. Sze: VLSI - Technology, MacGraw-Hill, 1988
C. Y. Chang, S. M. Sze: ULSI - Technology, MacGraw-Hill, 1996
D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technology of Integrated Circuits, Springer Verlag, 2000
Hong Xiao: Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology, Prentice Hall, 2001
Bemerkung:
benoteter Schein möglich
Weitere Informationen:
www: http://www.leb.eei.uni-erlangen.de/
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:
- Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science): 1-4. Semester
(Po-Vers. 2010 | Studienrichtung Mikroelektronik | Kernmodule Mikroelektronik | Entwurf Integrierter Schaltungen II/Technologie integrierter Schaltungen)
Dieses Modul ist daneben auch in den Studienfächern "Berufspädagogik Technik (Master of Education)", "Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science)", "Mechatronik (Bachelor of Science)", "Mechatronik (Master of Science)", "Medizintechnik (Master of Science)" verwendbar. Details
Studien-/Prüfungsleistungen:
Technologie integrierter Schaltungen (Prüfungsnummer: 61901)
- Prüfungsleistung, Klausur, Dauer (in Minuten): 90, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Erstablegung: WS 2013/2014, 1. Wdh.: SS 2014, 2. Wdh.: keine Wiederholung
- Termin: 13.02.2014, 10:30 Uhr, Ort: K 1 TechF
Termin: 17.07.2014
Termin: 05.02.2015, 15:30 Uhr, Ort: K 1 TechF
Termin: 22.07.2015, 15:00 Uhr, Ort: LS
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