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Halbleiter großer Bandlücke
- Dozent/in
- Prof. Dr.-Ing. Peter Wellmann
- Angaben
- Vorlesung
1 SWS, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 1,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: n.V.; Bemerkung zu Zeit und Ort: VL findet im SS2013 nicht statt
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF WW-DH 8
WPF MWT-MA-WET 2
WPF ET-MA-MWT 2
- Inhalt
- The lecture will give an introduction to the most common wide bandgap semicondutor materials. Physical properties, applications, growth & epitaxy as well as some specialties will be discussed. In terms of materials the most common wide bandgap semicondutors like silicon carbid (SiC9, nitrides GaN and related alloys), II-VI semicondutors (ZnSe and related as well as ZnO) and diamond (C) will be considered.
- ECTS-Informationen:
- Credits: 1,5
- Zusätzliche Informationen
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2012/2013:
- Crystal Growth (M2 -M3 - WW6)
- Materialien der Elektronik und Energietechnik mit Vertiefung Crystal Growth (M1_CG_WW6)
- Institution: Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektronik und Energietechnik)
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UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
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