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Kristallzüchtung und Halbleitertechnologie (CG-NT)10 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal Growth and Semiconductor Technology)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Uwe Scheuermann
Startsemester: |
WS 2017/2018 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
120 Std. | Eigenstudium: |
180 Std. | Sprache: |
Deutsch und Englisch |
Lehrveranstaltungen:
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2017/2018)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:15 - 16:00, 3.71; bis zum 6.2.2018; Am 19.12.2017 - im Raum 0.85; keine Vorlesungen am 21.11.2017 und 30.01.2018)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2017/2018)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
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Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2018)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 12:15 - 13:45, 3.71; ab 16.4.2018)
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Halbleiter großer Bandlücke (SS 2018 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 14:15 - 15:45, 3.71; ab 25.4.2018; 6 termine im SS2018)
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Numerische Modellierung des Kristallwachstums mithilfe des Programmpakets COMSOL Multi-Physics (SS 2018 - optional)
(Vorlesung mit Übung, 2 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)
- Wahlvorlesungen
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaften, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipola-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) Mit Materialeigenschaften
Grundlagen der Epitaxie
Lernziele und Kompetenzen:
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan: Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:
- Nanotechnologie (Master of Science)
(Po-Vers. 2015w | TechFak | Nanotechnologie (Master of Science) | Masterprüfung | Naturwissenschaftlich - technisches Wahlmodul)
Studien-/Prüfungsleistungen:
Kristalzüchtung und Halbleitertechnologie (Prüfungsnummer: 824008)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 20, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Prüfungssprache: Deutsch und Englisch
- Erstablegung: WS 2017/2018, 1. Wdh.: SS 2018
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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