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Nano IV: Halbleiter (Nano IV)
- Lecturer
- Dr.-Ing. Tobias Dirnecker, Akad. ORat
- Details
- Vorlesung
2 cred.h, ECTS studies, ECTS credits: 2,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch, Veranstaltung für Studiengang Nanotechnologie. Die Veranstaltung wird zunächst im digitalen Format über StudOn (https://www.studon.fau.de/crs2847766.html) stattfinden.
Time and place: Tue 16:15 - 17:45, H16; comments on time and place: Veranstaltung für Studiengang Nanotechnologie. Die Veranstaltung wird zunächst im digitalen Format über StudOn (https://www.studon.fau.de/crs2847766.html) stattfinden.
- Fields of study
- PF NT-BA 4
- Contents
- Ladungsträgerkonzentrationen im intrinsischen (undotierten) und dotierten Halbleiter
Transporteigenschaften (Drift, Diffusion) von Ladungsträgern im Halbleiter
Funktionsweise von Halbleiterbauelementen (Dioden, Feldeffekttransistoren)
Überblick über die wichtigsten Prozessschritte zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
- Recommended literature
- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich
R. Müller: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, Springer-Verlag, Berlin, 2002
D.A. Neamen: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, McGraw-Hill (Richard D. Irwin Inc.), 2002
D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technology of Integrated Circuits, Springer Verlag, 2000
- ECTS information:
- Credits: 2,5
- Additional information
- Expected participants: 38, Maximale Teilnehmerzahl: 100
www: https://www.studon.fau.de/crs2847766.html
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2019/2020:
- Grundlagen der Nanotechnologie II (B8)
- Department: Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)
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