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Crystal Growth MWT (M2 - M3)12.5 ECTS
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Jochen Friedrich, Stefan Kasperl
Startsemester: |
WS 2013/2014 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
110 Std. | Eigenstudium: |
190 Std. | Sprache: |
Deutsch und Englisch |
Lehrveranstaltungen:
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2013/2014)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:30 - 16:00, 3.71)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2013/2014)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
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Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2014)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 11:00, 3.71; vom 9.4.2014 bis zum 11.6.2014; keine Vorlesung am 28.05.2014)
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Exkursionen (SS 2014)
(Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
- Wahlvorlesungen
Aus den optionalen Wahlveranstaltungen kann eine Vorlesung gewählt werden, die mit 3 ECTS in das Modul eingeht
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Halbleiter großer Bandlücke (SS 2014 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 11:00, 3.71; vom 18.6.2014 bis zum 9.7.2014)
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Technologie der Züchtung von Halbleiterkristallen und Photovoltaik (SS 2014 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Jochen Friedrich, Mi, 14:15 - 15:45, Raum n.V.; Seminarraum 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr.10, 91058 Erlangen)
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Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2013/2014 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:30 - 14:00, A 2.16)
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Physikalische Grundlagen und Anwendungen der zerstörungsfreien Werkstoffprüfung (WS 2013/2014 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Stefan Kasperl, Mo, 15:45 - 17:15, 3.71)
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und er Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwchstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung Lithographie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften
Grundlagen der Epitaxie
Praktikum:
Czochralski Kristallwachstum vonInSb
Modellierung in der Kristallzüchtung
Halbleitercharakterisierung
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
erwerben fundierte Kenntninsse über Materialeigenschaften und deren Anwendungen in elektronischen Bauelementen
lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden
können Theorien, Terminologien und Lehrmeinungen des Faches, erläutern, anwenden und reflektieren
können in Gruppen kooperativ und verantwortlich arbeiten
Literatur:
wird in den Lehrveranstaltungen angegeben
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth MWT 3 (Prüfungsnummer: 963688)
- Studienleistung, benotet
- Erstablegung: WS 2013/2014, 1. Wdh.: SS 2014
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
Crystal Growth MWT 3 (Prüfungsnummer: 554832)
- mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet
- Erstablegung: WS 2013/2014, 1. Wdh.: SS 2014
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
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