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Crystal Growth NT (CG NT)15 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal Growth NT)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Jochen Friedrich, Stefan Kasperl
Startsemester: |
WS 2014/2015 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
165 Std. | Eigenstudium: |
285 Std. | Sprache: |
Deutsch und Englisch |
Lehrveranstaltungen:
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Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2015)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Blockveranstaltung 15.4.2015-6.5.2015 Mi, Blockveranstaltung 17.6.2015-15.7.2015 Mi, 8:30 - 11:00, 3.71)
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Exkursionen (SS 2015)
(Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2014/2015)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mo, 14:15 - 15:45, 3.71)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2014/2015)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
- Wahlvorlesungen
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Technologie der Züchtung von Halbleiterkristallen und Photovoltaik (SS 2015 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Jochen Friedrich, Mi, 12:15 - 13:45, Raum n.V.; Seminarraum 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr.10, 91058 Erlangen)
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Halbleiter großer Bandlücke (SS 2015 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Blockveranstaltung 27.5.2015-10.6.2015 Mi, 8:30 - 11:00, 3.71)
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Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2014/2015 - optional)
(Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, A 2.16)
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaften, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipola-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) Mit Materialeigenschaften
Grundlagen der Epitaxie
Kristallwachstum - Ausgewählte Kapitel
Praktikum
Czochralski Kristallwachstum von InSb
Modellierung in der Kristallzüchtung
Halbleitercharakterisierung
Lernziele und Kompetenzen:
Literatur:
Wird in den Lehrveranstaltungen angegeben.
Studien-/Prüfungsleistungen:
Crystal Growth NT (Prüfungsnummer: 688067)
(englischer Titel: Crystal Growth NT)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Erstablegung: WS 2014/2015, 1. Wdh.: SS 2015
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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