Projekt

Trotz vieler Bemühungen ist die Präparation epitaktischer Eisenslizidfilme auf Siliziumsubstrat problematisch geblieben, das hohe Anwendungspotential hinsichtlich ihrer Integration in die Silizium-basierte Halbleitertechnologie hat sich bisher nicht realisieren lassen. Eine der Ursachen hierfür scheint in der lateralen Inhomogenität des Interfaces zwischen Film und Substrat zu liegen, die sich bereits im Anfangsstadium des Filmwachstums ausblidet. Dieses Interface soll daher kristallographisch und morphologisch sowohl mit experimentellen (quantitative Elektronenbeugung, Rastertunnelmikroskopie) als auch theoretischen (Dichtefunktional- thoerie) Methoden untersucht werden. Gleiches gilt für das weitere Filmwachstum. Duch Variation der Präparationsmethdoen sollen die Bedingungen zur Ausbildung möglichst homogener Silizidphasen ausgelotet werden. Das Zusammenspiel von Theorie und Experiment verspricht, die energetische Nähe jeweils konkurrierend sich ausbildender Phasen abschätzen zu können.