Projekt

LEED-Intensitätsanalyse mehrkomponentiger Schichtsysteme (SFB 292/A1) (Heinz)

Das Vorhaben verfolgt sowohl die methodische Weiterentwicklungen der Strukturanalyse von Oberflächen mehrkomponentiger Systeme (insbesondere Siliziumkarbid und Silizide) mittels Beugung langsamer Elektronen (LEED), als auch die konkrete Analyse von in den experimentell ausgerichteten Gruppen gemessenen Daten. Bei den methodischen Arbeiten wird - zur Aufklärung der Struktur immer größer und damit komplexer werdender Einheitszellen - hauptsächlich die holographische Interpretation von Beugungsintensitäten hinsichtlich ihrer Leistungsfähigkeit und Grenzen ausgelotet. Dazu werden in Testrechnungen insbesondere auch der Einfluss mehrerer als Strahlteiler wirkende Atome in der Einheitszelle untersucht. Die Verbesserung der Bildqualität wird durch die Erprobung rekursiver Bildrekonstruktionen angestrebt, um die Störung der Referenzwelle möglichst weitgehend zu eliminieren. Bei den konkreten Intensitätsanalysen stehen beim Material SiC Strukturbestimmungen von stark rekonstruierten Oberflächen mit anwendungsbezogenem Potential im Vordergrund. Bei den Siliziden wird insbesondere auf die Aufklärung der Interfacestruktur zwischen Silizid und Siliziumsubstrat abgehoben, wobei auch Rechnungen zur ballistischen Elektronenmikroskopie zum Einsatz kommen.

Beteiligte:
Dr. Armin Seubert, Dr. Judith Schardt

Laufzeit: 1.1.1999 - 31.12.2001

Förderer:
Deutsche Forschungsgemeinschaft

Mitwirkende Institutionen:
SFB 292: Mehrkomponentige Schichtsysteme

Publikationen

Seubert, Armin ; Schardt, Judith ; Weiß, Wolfgang ; Starke, Ulrich ; Heinz, Klaus ; Fauster, Thomas: Interface structure of ultrathin CoSi₂ films epitaxially grown on Si(111). In: Appl. Phys. Lett. 76 (2000), S. 727

Starke, Ulrich ; Schardt, Judith ; Bernhardt, Jens ; Franke, Martin ; Heinz, Klaus: Stacking Transformation from Hexagonal to Cubic SiC Induced by Surface Reconstruction: A Seed for Heterostructure Growth. In: Phys. Rev. Lett. 82 (1999), S. 2107-2110

Bernhardt, Jens ; Schardt, Judith ; Starke, Ulrich ; Heinz, Klaus: Epitaxially ideal oxide-semiconductor interfaces: Silicate adlayers on hexagonal (0001) and (000-1) SiC surfaces. In: Appl. Phys. Lett. 74 (1999), S. 1084-1086

Starke, Ulrich ; Schardt, Judith ; Bernhardt, Jens ; Heinz, Klaus: Reconstructed Oxide Structures Stable in Air: Monolayer Silicate on Hexagonal SiC Surfaces. In: J. Vac. Sci. Technol. A 17 (1999), S. 1688-1692

Starke, Ulrich ; Bernhardt, Jens ; Schardt, Judith ; Heinz, Klaus: SiC surface reconstruction: Relevancy of atomic structure for growth technology. In: Surf. Rev. Lett. 6 (1999), S. 1129 - 1141

Schardt, Judith ; Bernhardt, Jens ; Starke, Ulrich ; Heinz, Klaus: Crystallography of the (3×3) surface reconstruction of 3C-SiC(111), 4H-SiC(0001) and 6H-SiC(0001) surfaces retrieved by low-energy electron diffraction. In: Appl. Surf. Sci. 166 (2000), S. 103-107

Heinz, Klaus ; Starke, Ulrich ; Bernhardt, Jens: Surface holograpy with LEED electrons. In: Progr. Surf. Sci. 64 (2000), S. 163 - 178

Heinz, Klaus ; Starke, Ulrich ; Bernhardt, Jens ; Schardt, Judith: Surface Structure of hexagonal SiC surfaces: Key to crystal growth and interface formation. In: Appl. Surf. Sci. 162-163 (2000), S. 9-18

Heinz, Klaus ; Seubert, Armin ; D.K. Saldin: Holographic low-energy electron diffraction. In: J. Phys.: Condens. Matter 13 (2001), S. 10647-10663

Bernhardt, Jens ; Seubert, Armin ; Nerding, Melanie ; Starke, Ulrich ; Heinz, Klaus: Atomic Structure of 6H-SiC(000-1)-(2×2)C. In: Mater. Sci. Forum 338-342 (2000), S. 345-348