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| Wachstum von Siliziden mit Laserverdampferquellen (SFB 292/D7) (Fauster/Weinelt) Die Anwendung der Laserverdampfung mit ihrer deutlich höheren
Aufdampfrate im Vergleich zu thermischen Verdampfungsquellen auf das
Wachstum ultradünner, epitaktischer Silizidfilme soll untersucht werden.
Die Charakterisierung der hergestellten Filme soll in situ durch
Augerelektronenspektroskopie und die Beugung langsamer Elektronen
erfolgen. Durch winkelaufgelöste reguläre und Inverse Photoemission soll
die elektronische Struktur der Silizidschichten und -oberflächen
aufgeklärt werden.
| Projektleitung:
Prof. Dr. Martin Weinelt
Beteiligte:
Dr. rer. nat. Matthias Löffler
Laufzeit: 1.1.1999 - 31.12.2001
Förderer:
Deutsche Forschungsgemeinschaft
Mitwirkende Institutionen:
SFB 292: Mehrkomponentige Schichtsysteme
| | Publikationen |
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| Weinelt, Martin ; Schwarz, Sergej ; Baier, Holger ; Müller, Stefan ; Hammer, Lutz ; Heinz, Klaus ; Fauster, Thomas: Structure of ultrathin Fe films on Cu(100) prepared by pulsed laser deposition. In: Phys. Rev. B 63 (2001), S. 205413 | | Weinelt, Martin ; Baier, Holger ; Schwarz, Sergej ; Fauster, Thomas: Structural Modification of Ultrathin Fe Films on Cu(100) Prepared by Pulsed Laser Deposition. In: Surf. Sci. 454-456 (2000), S. 746 | | Seubert, Armin ; Schardt, Judith ; Weiß, Wolfgang ; Starke, Ulrich ; Heinz, Klaus ; Fauster, Thomas: Interface structure of ultrathin CoSi2 films epitaxially grown on Si(111). In: Appl. Phys. Lett. 76 (2000), S. 727 |
Institution: Lehrstuhl für Festkörperphysik (Prof. Dr. Fausti)
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