Mikroelektronik
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Grundlagen der Elektrotechnik I [ETechnik1]
VORL; 4 SWS; ECTS: 7,5; Anf; Mo, Mi, 8:30 - 10:00, H7; ab 16.10.2002
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Albach, M.
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Übungen zu Grundlagen der Elektrotechnik I [ETechnik1-Ü]
UE; 2 SWS; Do, 12:30 - 14:00, H8; Mi, 10:15 - 11:45, E 2.11, E 1.12, E 1.11; Mi, 12:15 - 13:45, E 2.11, E 1.11; Di, 8:30 - 10:00, E 2.11
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Wiss. Mitarb. d. LEMF
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Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente [Prak. TeSi]
PR; 5 SWS; Schein; ECTS: 5; Vorlesung Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente vorausgesetzt; Vorbesprechung: 21.10.2002, 15:00 - 16:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal
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Jank, M.
N.N.
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Technologie integrierter Schaltungen [TiS]
VORL; 3 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; (entspricht nach alter Prüfungsordnung Technologie der Siliciumhalbleiterbauelemente I); Mo, 12:30 - 14:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
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Ryssel, H.
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Übung zu Technologie integrierter Schaltungen [UE TeSi]
UE; 1 SWS; Mo, 15:00 - 15:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; ab 21.10.2002; am 21.10 im Seminarraum 2 (neben Waeber-Saal)
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Movrin, D.
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ASIC-Entwurfspraktikum / ASIC Design Course [PrASIC]
PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 5; Anmeldung am LRS, Tel: 85-23100, mailto:sek@lrs.eei.uni-erlangen.de; Blockveranstaltung, 10.2.2003 9:00 - 14.2.2003 16:30, KR 01.025
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Bürner, Th.
Gentner, Th.
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Entwurf Integrierter Schaltungen I [EIS1]
VORL; 3 SWS; Kredit: 4/4; ECTS: 5; Di, 14:00 - 16:15, SR 01.030; Röthelheim-Campus, Paul-Gordan-Str. 5
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Glauert, W.H.
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Übungen zu Entwurf Integrierter Schaltungen I [ÜbEIS1]
UE; 1 SWS; Di, 16:30 - 17:15, SR 01.030; Röthelheim-Campus, Paul-Gordan-Str. 5
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Hofmann, R.
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