|
Halbleitertechnologie (CE5)15 ECTS (englische Bezeichnung: Semiconductor technology)
(Prüfungsordnungsmodul: Halbleitertechnologie)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann
Startsemester: |
WS 2017/2018 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
jährlich (WS) |
Präsenzzeit: |
195 Std. | Eigenstudium: |
255 Std. | Sprache: |
Deutsch oder Englisch |
Lehrveranstaltungen:
-
- A. Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (2SWS, 3 ECTS/VORL), Wahlvorlesung Materialien der Elektronik und Energietechnik (z.B. Halbleiter großer Bandlücke) (1SWS, 1,5 ECTS/VORL)
-
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2017/2018)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:15 - 16:00, 3.71; bis zum 6.2.2018; Am 19.12.2017 - im Raum 0.85; keine Vorlesungen am 21.11.2017 und 30.01.2018)
-
Halbleiter großer Bandlücke (SS 2018)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 14:15 - 15:45, 3.71; ab 25.4.2018; 6 termine im SS2018)
- B. Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (2 SWS, 3 ECTS/VORL), Wahlvorlesung Materialien der Elektronik und Energietechnik (z.B. aus dem Umfeld „ Organische Halbleiter“ ) (2 SWS, 3 ECTS)
-
Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2018)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 12:15 - 13:45, 3.71; ab 16.4.2018)
-
Materialien der Elektronik und der Energietechnik (5.Sem) (WS 2017/2018)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 10:15 - 12:00, H14; bis zum 7.2.2018; keine Vorlesung am 22.11.17 und 31.01.2018)
- C. Seminar Materialien der Elektronik und Energietechnik (2 SWS, 3 ECTS/SEM), Praktikum (2 SWS, 2 ECTS)
-
Inhalt:
- Technologie der Halbleitermaterialen Silizium, III-V- und II-VI-Verbindungshalbleiter, sowie der organischen Halbleiter
Grundlagen der Halbleiter-Kristallzüchtung
Grundlagen der Halbleiter-Epitaxie
Technologien der Halbleiterbauelementherstellung
Grundlagen Elektronische Bauelemente & Zusammenhang der elektronischen Eigenschaften mit Materialeigenschaften
PR:
Herstellung eines Einkristalls, Charakterisierung von Einkristallscheiben, numerische Simulation der Kristallzüchtung
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
verfügen über Kenntnisse der Herstellung und der Eigenschaften von Halbleitermaterialien und elektronischen Bauelementen
sind fähig die Möglichkeiten und Grenzen der Prozesstechnologien im Hinblick auf die Mikroelektronik, Leistungselektronik, Solarzellen, Organische Leuchtdioden, Transistoren und Solarzellen zu beurteilen und zu diskutieren
können den Einfluss der Materialeigenschaften auf die Bauelementfunktion (Performance der Bauelemente, wie Schaltgeschwindigkeit und Leuchtfarbe / Lebensdauer bzw. Alterung/... ) nachvollziehen und analysieren
sind in der Lage ausgewählte Halbleitermaterialien und Bauelemente selbstständig herzustellen und ihre Funktionen und Eigenschaften gegenüberzustellen.
Bemerkung:
Module compatibility: M.Sc. Chemie / M.Sc. Molecular Science (Wahlmodul/Elective module)
Organisatorisches:
Wichtig: Modul startet nur zum Wintersemester!
Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an den Modulverantwortlichen!
Please note: module starts only at winter term!
For further Information please contact the module coordinator!
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:
- Chemie (Master of Science): 1-3. Semester
(Po-Vers. 2009 | NatFak | Chemie (Master of Science) | Wahlmodul | Halbleitertechnologie)
Studien-/Prüfungsleistungen:
Halbleitertechnologie (Prüfungsnummer: 66201)
(englischer Titel: Oral Examination or Examination (Klausur) or Notes or Presentation: Semiconductor Technology)
zugeh. "mein campus"-Prüfung: | - 66201 Halbleitertechnologie (Gewichtung: 100.0 %, Prüfung, Form: mehrteilige Prüfung, Zehntelnoten, Dauer: -, 15 ECTS, Prüfung).
|
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Erstablegung: SS 2018, 1. Wdh.: WS 2018/2019
1. Prüfer: | Peter Wellmann (100546) |
|
![](/img/anew/void.gif) |
![](/img/anew/void.gif) |
|
UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof |
|
|