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Kristallzüchtung und Halbleitertechnologie (CG-NT)10 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal Growth and Semiconductor Technology)
(Prüfungsordnungsmodul: Naturwissenschaftlich - technisches Wahlmodul)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Uwe Scheuermann
Startsemester: |
WS 2016/2017 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
120 Std. | Eigenstudium: |
180 Std. | Sprache: |
Deutsch und Englisch |
Lehrveranstaltungen:
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Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2016/2017)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:15 - 15:45, 3.71; ab 25.10.2016)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2016/2017)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
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Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2017)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mo, 10:39 - 12:00, 3.71; keine Vorlesung am 22.05.2017)
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Halbleiter großer Bandlücke (SS 2017 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 12:15 - 13:45, 3.71; Beginn: 14.06.2017)
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Numerische Modellierung des Kristallwachstums mithilfe des Programmpakets COMSOL Multi-Physics (SS 2017 - optional)
(Vorlesung mit Übung, 2 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)
- Wahlvorlesungen
Die allgemeine Modulbeschreibung des Prüfungsordnungsmoduls Naturwissenschaftlich - technisches Wahlmodul finden Sie hier. Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaften, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipola-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) Mit Materialeigenschaften
Grundlagen der Epitaxie
Lernziele und Kompetenzen:
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:
- Nanotechnologie (Master of Science)
(Po-Vers. 2015w | TechFak | Nanotechnologie (Master of Science) | Masterprüfung | Naturwissenschaftlich - technisches Wahlmodul)
Studien-/Prüfungsleistungen:
Kristalzüchtung und Halbleitertechnologie (Prüfungsnummer: 824008)
zugeh. "mein campus"-Prüfung: | - 17101 Naturwissenschaftlich - technisches Wahlmodul (Prüfung, Form: variabel, Drittelnoten (mit 4,3), Dauer: -, 10 ECTS, Platzhalter).
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- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 20, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Prüfungssprache: Deutsch und Englisch
- Erstablegung: WS 2016/2017, 1. Wdh.: SS 2017
1. Prüfer: | Peter Wellmann (100546) |
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