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Technologie integrierter Schaltungen (TIS)5 ECTS (englische Bezeichnung: Technology of Integrated Circuits)
Modulverantwortliche/r: Tobias Erlbacher Lehrende:
Tobias Erlbacher
Studienfächer/Prüfungsordnungsmodule:
Einfrieren der UnivIS-Modul-Beschreibung: 16.8.2018
Entwurf Integrierter Schaltungen II/Technologie integrierter Schaltungen (23517)
Technologie integrierter Schaltungen (32578)
4 Elektronische Bauelemente, Schaltungen und Systeme (40963)
4 Elektronische Bauelemente, Schaltungen und Systeme (41361)
M3 Medizintechnische Kernmodule (MEL) (42940)
Startsemester: |
WS 2018/2019 | Dauer: |
1 Semester | Turnus: |
jährlich (WS) |
Präsenzzeit: |
60 Std. | Eigenstudium: |
90 Std. | Sprache: |
Deutsch |
Lehrveranstaltungen:
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Technologie integrierter Schaltungen
(Vorlesung, 3 SWS, Tobias Erlbacher, Mo, 10:15 - 12:30, Hans-Georg-Waeber-Saal)
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Übung zu Technologie integrierter Schaltungen
(Übung, 1 SWS, Michael Niebauer, Mo, 13:00 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal)
Empfohlene Voraussetzungen:
Kenntnisse aus dem Bereich Halbleiterbauelemente (Pflichtveranstaltung im Bachelorstudiengang EEI und Mechatronik)
Inhalt:
Thema der Vorlesung sind die wesentlichen Technologieschritte zur Herstellung elektronischer Halbleiterbauelemente und integrierter Schaltungen. Die Vorlesung beginnt mit der Herstellung von einkristallinen Siliciumkristallen. Anschließend werden die physikalischen Grundlagen der Oxidation, der Dotierungsverfahren Diffusion und Ionenimplantation sowie der chemischen Gasphasenabscheidung von dünnen Schichten behandelt. Ergänzend dazu werden Ausschnitte aus Prozessabläufen dargestellt, wie sie heute bei der Herstellung von hochintegrierten Schaltungen wie Mikroprozessoren oder Speicher verwendet werden.
Lernziele und Kompetenzen:
Die Studierenden
- Anwenden
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- Evaluieren (Beurteilen)
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Literatur:
- S. M. Sze: VLSI - Technology, MacGraw-Hill, 1988
C. Y. Chang, S. M. Sze: ULSI - Technology, MacGraw-Hill, 1996
D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technology of Integrated Circuits, Springer Verlag, 2000
Hong Xiao: Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology, Prentice Hall, 2001
Studien-/Prüfungsleistungen:
Technologie integrierter Schaltungen (Prüfungsnummer: 61901)
(englischer Titel: Technology of Integrated Circuits)
zugeh. "mein campus"-Prüfung: | - 61901 Technologie integrierter Schaltungen (Mechatronik (Master of Science) 2012, Prüfung, Form: Klausur, Drittelnoten (mit 4,3), Dauer: 90, 5.0 ECTS, Prüfung).
- 61901 Technologie integrierter Schaltungen (Mechatronik (Master of Science) 2012, Prüfung, Form: Klausur, Drittelnoten (mit 4,3), Dauer: 90, 5.0 ECTS, Prüfung).
- 49831 Vertiefungsrichtung Elektronische Bauelemente, Schaltungen und Systeme (5 ECTS) (Mechatronik (Bachelor of Science) 2009, Prüfung, Form: mehrteilige Prüfung, Zehntelnoten, Dauer: -, 5.0 ECTS, Platzhalter).
- 49831 Vertiefungsrichtung Elektronische Bauelemente, Schaltungen und Systeme (5 ECTS) (Mechatronik (Master of Science) 2012, Prüfung, Form: mehrteilige Prüfung, Zehntelnoten, Dauer: -, 5.0 ECTS, Platzhalter).
- 18122 Medizintechnisches Kernmodul (5 ECTS) (Prüfung, Form: Klausur, Drittelnoten (mit 4,3), Dauer: -, 5 ECTS, Platzhalter).
- 61901 Technologie integrierter Schaltungen (Gewichtung: 100.0 %, Prüfung, Form: Klausur, Drittelnoten (mit 4,3), Dauer: 90, 5 ECTS, Prüfung).
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- Prüfungsleistung, Klausur, Dauer (in Minuten): 90, benotet, 5.0 ECTS
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- Erstablegung: WS 2018/2019, 1. Wdh.: SS 2019, 2. Wdh.: keine Wiederholung
1. Prüfer: | Tobias Erlbacher (060257) |
- Termin: 05.04.2019, 11:00 Uhr, Ort: H 9 TechF
Termin: 01.08.2019, 08:00 Uhr, Ort: H 10 TechF
Termin: 16.06.2020
Termin: 13.08.2020, 08:00 Uhr, Ort: H 10 TechFTermin: 05.04.2019, 11:00 Uhr, Ort: H 9 TechF
Termin: 01.08.2019, 08:00 Uhr, Ort: H 10 TechF
Termin: 16.06.2020
Termin: 13.08.2020, 08:00 Uhr, Ort: H 10 TechFTermin: 05.04.2019, 11:00 Uhr, Ort: H 9 TechF
Termin: 01.08.2019, 08:00 Uhr, Ort: H 10 TechF
Termin: 16.06.2020
Termin: 13.08.2020, 08:00 Uhr, Ort: H 10 TechF
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