Crystal Growth ET (MWT 3) (CGET)10 ECTS
(englische Bezeichnung: Crystal growth ET)

Studienfächer/Prüfungsordnungsmodule:

Lehrveranstaltungen:

• • Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2017/2018)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:15 - 16:00, 3.71; bis zum 6.2.2018; Am 19.12.2017 - im Raum 0.85; keine Vorlesungen am 21.11.2017 und 30.01.2018)
  • Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2017/2018)
    (Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
  • Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2018)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 12:15 - 13:45, 3.71; ab 16.4.2018)
• Wahlvorlesungen

  Aus den optionalen Wahlveranstaltungen kann eine Vorlesung gewählt werden, die mit 1 ECTS in das Modul eingeht.

  • Halbleiter großer Bandlücke (SS 2018 - optional)
    (Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 14:15 - 15:45, 3.71; ab 25.4.2018; 6 termine im SS2018)
  • Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2017/2018 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, A 2.16)
  • Numerische Modellierung des Kristallwachstums mithilfe des Programmpakets COMSOL Multi-Physics (SS 2018 - optional)
    (Vorlesung mit Übung, 2 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)

Empfohlene Voraussetzungen:

Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.

Inhalt:

Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie

• Grundlagen des Kristallwachstums

• Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
  

Elektronische Bauelemente und Materialfragen

• Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften

• Grundlagen Epitaxie
  

Praktikum

• Czochralski Kristallwachstum von InSb

• Modellierung in der Kristallzüchtung

• Halbleitercharakterisierung

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

• erwerben fundierte Kenntnisse über Materialeigenschaften und deren Anwendungen in elektronischen Bauelementen

-lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden

• können in Gruppen kooperativ und verantwortlich arbeiten

Literatur:

Wird in den Lehrveranstaltungen angegeben.

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:
Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:

1. Energietechnik (Master of Science)
   (Po-Vers. 2015w | TechFak | Energietechnik (Master of Science) | Masterprüfung | Studienrichtung Materialwissenschaften und Werkstofftechnik | Modulgruppe Materialwissenschaften und Werkstoffkunde | MWT3)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Crystal Growth ET (MWT 3) (Prüfungsnummer: 991457)

(englischer Titel: Crystal growth ET)

zugeh. "mein campus"-Prüfung:

16901 Studienrichtungsspezifisches Vertiefungsmodul A+B (MWT3) (Energietechnik (Master of Science) 2011, Prüfung, Form: mehrteilige Prüfung, Zehntelnoten, Dauer: -, 10 ECTS, Platzhalter). 18121 Studienrichtungsspezifisches Vertiefungsmodul MWT3 (Energietechnik (Master of Science) 2015w, Prüfung, Form: mehrteilige Prüfung, Zehntelnoten, Dauer: -, 10 ECTS, Platzhalter).

Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

weitere Erläuterungen:
zusätzlich Absolvierung des Praktikums!

Erstablegung: WS 2017/2018, 1. Wdh.: SS 2018

1. Prüfer:

Peter Wellmann (100546)