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  Halbleitertechnik IV - Nanoelektronik (HL IV - NANOEL)

Dozent/in
Dr.-Ing. Michael Jank

Angaben
Vorlesung
2 SWS, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5
für FAU Scientia Gaststudierende zugelassen, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Do 16:15 - 17:45, 0.111; Do 14:15 - 15:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Bemerkung zu Zeit und Ort: Bitte beachten Sie die Bekanntgabe der konkreten Vorlesungstermine im StudOn-Kurs.
Vorbesprechung: 28.4.2022

Studienfächer / Studienrichtungen
PF NT-MA 2
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3

Voraussetzungen / Organisatorisches
Organisatorisches:

Die Veranstaltung findet im digitalen Format über die StudOn-Plattform statt. Studierende der Nanoelektronik (Master) sind automatsch freigeschaltet (Pflichtfach). Für Studierende anderer Studiengänge erfolgt die Zulassung gerne nach Anfrage.

Inhalt
Der Kurs vermittelt die technologischen Grundlagen heutiger höchstintegrierter Schaltungen und greift Aspekte und Lösungsvorschläge für zukünftige KI-Systeme und Quantencomputer auf. Ein Schwerpunkt liegt in der Darstellung der nanotechnologischen Ansätze.

Inhaltsverzeichnis

  • Einführung Nanoelektronik

  • Wiederholung MOS-Feldeffekttransistoren

  • MOS-basierte Speicherbauelemente

  • Alternative Gatedielektrika und Halbleiter

  • Kurzkanaleffekte in MOS-Bauelementen

  • Mehrfachgate-Architekturen

  • Integration von Nanowires

  • Graphen und 2D-Materialien

  • Alternative Speicherbauelemente

  • Neuromorphe Systeme

  • Quantenbauelemente und -computing

  • Grenzen der Skalierung

ECTS-Informationen:
Title:
Nanoelectronics

Credits: 2,5

Zusätzliche Informationen
Erwartete Teilnehmerzahl: 11
www: https://www.studon.fau.de/crs4208503.html

Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
Startsemester WS 2021/2022:
Kernfach Mikro- und Nanostrukturforschung für MWT (MNF_M1_MWT)
Top-Down Nanostrukturierung (Nano_Top_Down)
Startsemester SS 2022:
Halbleitertechnik IV - Nanoelektronik (HL IV - Nano)
Nanoelektronik (Nano)
Top-Down Nanostrukturierung (Nano_Top_Down)

Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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