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Chemie (Master of Science) >>
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Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik (Prak HLMT)- Lecturer
- Michael Niebauer, M. Sc.
- Details
- Praktikum
3 cred.h, certificate, compulsory attendance, ECTS studies, ECTS credits: 2,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch
Time and place: n.V.; comments on time and place: Ggf. findet das Praktikum - in Abstimmung mit den Studierenden in der Vorbesprechung - als Blockpraktikum in der vorlesungsfreien Zeit statt. Anmeldung über StudOn.
Preliminary meeting: 26.4.2019, 10:00 - 10:30 Uhr, room 0.111
- Fields of study
- WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 2-3
- Prerequisites / Organisational information
- Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik
- Contents
- Im Praktikum zur Halbleiter- und Bauelementemesstechnik wird ein Teil der in der gleichnamigen Vorlesung besprochenen Messverfahren praktisch durchgeführt. Zu Beginn des Praktikums wird die Relevanz der Messtechnik zur Prozesskontrolle aber auch in der Bauelementeentwicklung anhand eines typischen CMOS-Prozesses erläutert. Im Bereich Halbleitermesstechnik werden dann Versuche zur Scheibeneingangskontrolle, zu optischen Schichtdicken- und Strukturbreitenmessverfahren, sowie zur Profilmesstechnik durchgeführt. Im Bereich Bauelementemesstechnik werden MOS-Kondensatoren und MOS-Transistoren, Dioden, Widerstände und spezielle Teststrukturen elektrisch charakterisiert.
- Recommended literature
- Dieter K. Schroder: Semiconductor Material and Devices Characterization, Wiley-IEEE, 2006
W.R. Runyan, T.J. Shaffner: Semiconductor Measurements and Instrumentations, McGraw-Hill, 1998 A.C. Diebold: Handbook of Silicon Semiconductor Metrology, CRC, 2001
- ECTS information:
- Title:
- Laboratory on Semiconductor and Device Metrology
- Credits: 2,5
- Prerequisites
- Prerequisite lectures:
Semiconductor and Device Measurement Techniques
or Technology of Silicon Semiconductor Devices
- Contents
- In the practical lab course in semiconductor and device metrology, some of the measurement techniques discussed in the
lecture of the same name will be performed. At the beginning of the course the relevance of metrology for process control as
well as for device development is illustrated by way of example of a typical CMOS process. In the field of semiconductor
metrology, experiments will be performed in the areas of wafer material control, optical film thickness and linewidth
measurement techniques, and profile metrology. In the field of device caracterization, MOS capacitors and MOS transistors,
diodes, resistors, and special test structures are electrically characterized.
- Literature
- Semiconductor and Device Metrology / Practical Term, laboratory documents (available at Chair of Electron Devices / available in course)
Dieter K. Schroder: Semiconductor Material and Devices Characterization, Wiley-IEEE, 2006 W.R. Runyan, T.J. Shaffner: Semiconductor Measurements and Instrumentations, McGraw-Hill, 1998 A.C. Diebold: Handbook of Silicon Semiconductor Metrology, CRC, 2001
- Additional information
- Expected participants: 6
www: https://www.studon.fau.de/crs2490757.html
Registration is required for this lecture.
Registration starts on Monday, 1.4.2019, 0:00 and lasts till Sunday, 14.4.2019, 23:59 über: StudOn.
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2018/2019:
- Nanoelektronik (CE6)
- Startsemester SS 2019:
- Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik (PrHB)
- Department: Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)
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