UnivIS
Informationssystem der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg © Config eG 
FAU Logo
  Sammlung/Stundenplan    Modulbelegung Home  |  Rechtliches  |  Kontakt  |  Hilfe    
Suche:      Semester:   
 
 Darstellung
 
Druckansicht

 
 
 Außerdem im UnivIS
 
Vorlesungs- und Modulverzeichnis nach Studiengängen

Vorlesungsverzeichnis

 
 
Veranstaltungskalender

Stellenangebote

Möbel-/Rechnerbörse

 
 
Berufspädagogik Technik (Master of Education) >>

  Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik

Dozentinnen/Dozenten
Michael Niebauer, M. Sc., u.a.

Angaben
Praktikum
Online/Präsenz
3 SWS, Schein, Anwesenheitspflicht, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch, Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik
Zeit und Ort: ; Bemerkung zu Zeit und Ort: Das Praktikum wird voraussichtlich als Blockpraktikum in der vorlesungsfreien Zeit stattfinden. Ein Termin zur Vorbesprechung wird zu Beginn des Semesters bekannt gegeben.

Studienfächer / Studienrichtungen
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 1-4

Inhalt
Im Praktikum zur Halbleiter- und Bauelementemesstechnik wird ein Teil der in der gleichnamigen Vorlesung besprochenen Messverfahren praktisch durchgeführt. Zu Beginn des Praktikums wird die Relevanz der Messtechnik zur Prozesskontrolle aber auch in der Bauelementeentwicklung anhand eines typischen CMOS-Prozesses erläutert. Im Bereich Halbleitermesstechnik werden dann Versuche zur Scheibeneingangskontrolle, zu optischen Schichtdicken- und Strukturbreitenmessverfahren, sowie zur Profilmesstechnik durchgeführt. Im Bereich Bauelementemesstechnik werden MOS-Kondensatoren und MOS-Transistoren, Dioden, Widerstände und spezielle Teststrukturen elektrisch charakterisiert.

Empfohlene Literatur
  • Frey, L., Halbleiter- und Bauelementemesstechnik, Skript zur gleichnamigen Vorlesung (am Lehrstuhl erhältlich).

ECTS-Informationen:
Title:
Laboratory on Semiconductor and Device Metrology

Credits: 2,5

Prerequisites
Prerequisite lectures:
Semiconductor and Device Measurement Techniques or Technology of Silicon Semiconductor Devices

Contents
In the practical lab course in semiconductor and device metrology, some of the measurement techniques discussed in the lecture of the same name will be performed. At the beginning of the course the relevance of metrology for process control as well as for device development is illustrated by way of example of a typical CMOS process. In the field of semiconductor metrology, experiments will be performed in the areas of wafer material control, optical film thickness and linewidth measurement techniques, and profile metrology. In the field of device caracterization, MOS capacitors and MOS transistors, diodes, resistors, and special test structures are electrically characterized.

Literature
Semiconductor and Device Metrology / Practical Term, lecture script (available at Chair of Electron Devices / available in course) Frey, L.: Halbleiter- und Bauelementemeßtechnik, lecture script (available at Chair of Electron Devices / available in course)

Zusätzliche Informationen
Erwartete Teilnehmerzahl: 10
www: https://www.studon.fau.de/crs3234698.html
Für diese Lehrveranstaltung ist eine Anmeldung erforderlich.
Die Anmeldung erfolgt von Montag, 19.10.2020, 00:00 Uhr bis Sonntag, 25.10.2020, 23:55 Uhr über: StudOn.

Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
Startsemester WS 2020/2021:
Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik (PrHB)

Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
UnivIS ist ein Produkt der Config eG, Buckenhof