• Beschreibung eines psn-Übergangs im thermodynamischen Gleichgewicht (Raumladungszonen, Poisson-Gleichung, Depletion-Näherung und Built-in-Spannung),

• Beschreibung eines psn-Übergangs im Nicht-Gleichgewicht (I-U-Charakterisitik des idealen pn-Übergangs, Rekombinationsmechanismen in pn-Übergängen, I-U-Charakterisitik des realen pn-Übergangs, Durchbruchmechanismen in pn-Übergängen),

• Dioden-Spezialformen: Schottky-Diode und Ohmscher Kontakt, Z-Dioden (Zener-Diode und Avalanche-Diode), IMPATT-Diode (Impact-Ionization-Avalanche-Transit-Time-Diode), Gunn-Diode, Uni-Tunneldiode, Esaki-Tunneldiode, Shockley-Diode, DIAC (Diode for Alternating Current),

• Aufbau und Funktionsweise von Bipolar- und Heterobiplartransistoren: Ideales und reales Verhalten und Hochfrequenzbetrieb,

• Thyristor und lichtgezündeter Thyristor, TRIAC (Triode for Alternating Current).

Als Ausblick wird zum Schluss der Vorlesung auf Leistungsbipolartransistoren mit isoliertem Gate wie dem Gate-Turn-Off-Thyristor (GTO-Thyristor) und dem Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)und auf BiCMOS-Schaltungen eingegangen.

• Schaumburg: Halbleiter, Teubner Verlag, 1991

• Löcherer: Halbleiterbauelemente, Teubner Verlag, 1992

• Thuselt: Physik der Halbleiterbauelemente, Springer Verlag, 2005

• Sze: Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, 1981

• Roulsten: An Introduction to the Phys. of Sem. Devices, Oxford Univ. Press, 1999

• Chang: ULSI Devices, John Wiley & Sons, 2000

Title:

HL I - Bipolar Technology

Credits: 5

Prerequisites

none

EX: Exkursion Halbleitertechnik und Halbleitertechnologie

Dozent/in: Assistenten
Zeit und Ort: n.V.; Bemerkung zu Zeit und Ort: Wird in den Veranstaltungen des Lehrstuhls bekannt gegeben

UE: Übungen zu Halbleitertechnik I - Bipolartechnik

Dozent/in: Jannik Schwarberg, M. Sc.
Zeit und Ort: Mo 8:15 - 9:45, 0.111
www: https://www.studon.fau.de/crs4208602.html