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  Highly-Integrated Millimeter-Wave Circuits for Radar and Communication Applications (MMWC)

Dozent/in
Dr.-Ing. Vadim Issakov

Angaben
Vorlesung
2 SWS, benoteter Schein, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2,5, Sprache Englisch, Der erste Termin findet nach Absprache statt (StudOn!)
Zeit und Ort: jede 2. Woche Mo 16:00 - 18:00, 0.154-115

ECTS-Informationen:
Title:
Highly-Integrated Millimeter-Wave Circuits for Radar and Communication Applications

Credits: 2,5

Prerequisites
Integrierte Schaltungen für Funkanwendungen

Contents
  • Einführung in die Radar und Kommunikationsanwendungen im Millimeterwellen-Frequenzbereich
  • Halbleitertechnologien für Millimeterwellenschaltungen (CMOS, SiGe HBT, BiCMOS, III/V)

  • Aktive integrierte Bauelemente und Modellierung (MOSFET, HBT)

  • Passive integrierte Bauelemente und Modellierung (Induktivitäten, Transformatoren, Kapazitäten, TLines)

  • Impedanztransformation, Anpassung, Peaking

  • Nichtlinearität, Rauschen, Stabilität

  • Resonanzkreise und schmalbandig-abgestimmte Verstärker

  • Breitbandige verteilte Verstärker

  • Rauscharme Verstärker (LNAs)

  • Hochfrequenzmischer (aktive, passive, sub-harmonische)

  • Millimeterwellen-VCOs (Cross-coupled, Colpitts, Clapp, Class-C, push-push)

  • Millimeterwellen-Leistungsverstärker (Class A, Class AB)

  • Frequenzteiler (statische, dynamische regenerative, injection-locked)

  • Frequenzmultiplizierer (push-push, nicht-linearitäten, injection-locked)

  • Design Flow von Millimeterwellenschaltungen

  • Beispiele von System on Chip (SoC) im Millimeterwellenfrequenzbereich

Zusätzliche Informationen
Erwartete Teilnehmerzahl: 15, Maximale Teilnehmerzahl: 30
Für diese Lehrveranstaltung ist eine Anmeldung erforderlich.
Die Anmeldung erfolgt über: StudOn

Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
Startsemester SS 2019:
Highly-Integrated Millimeter-Wave Circuits for Radar and Communication Applications (MMWC)

Institution: Lehrstuhl für Technische Elektronik
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