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Vorlesungsverzeichnis >> Technische Fakultät (TF) >>
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Crystal Growth - Lab Work 2 Wafer Characterization- Dozent/in
- Prof. Dr.-Ing. Peter Wellmann
- Angaben
- Praktikum
Online/Präsenz
2 SWS, benoteter Schein, Anwesenheitspflicht, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2
nur Fachstudium, Sprache Deutsch oder Englisch
Zeit und Ort: Do 8:00 - 17:00, 3.71; Bemerkung zu Zeit und Ort: Do-Termine entsprechend der Gruppeneinteilung, ZOOM-VORBESPRECHUNG: https://fau.zoom.us/j/65411763300?pwd=SzUvQVZPVmNRM1plS3VDM2NBd1FqQT09
- Voraussetzungen / Organisatorisches
- Participants of the Teaching Module "Crystal Growth 2"
- Inhalt
- Characterization of SiC semiconductor wafers
- Empfohlene Literatur
- Wellmann, P., & Weingärtner, R. (2003). Determination of doping levels and their distribution in SiC by optical techniques. Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, 102(1-3), 262-268.
https://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(02)00707-9
- ECTS-Informationen:
- Credits: 2
- Zusätzliche Informationen
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester SS 2022:
- Crystal Growth 2 (cgl-2)
- Institution: Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Materialien der Elektronik und der Energietechnologie)
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