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Leistungselektronik (LEE-LE-V) [Import]- Dozent/in
- Prof. Dr.-Ing. Martin März
- Angaben
- Vorlesung
Präsenz
2 SWS, benoteter Schein, Kredit: 4/4, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch
Zeit und Ort: Mo 12:15 - 13:45, H9; Bemerkung zu Zeit und Ort: Bitte Informieren Sie sich im zugehörigen Studon-Kurs über den tatsächlichen Veranstaltungsort und die Informationen zur Online-Lehre
- Studienfächer / Studienrichtungen
- WPF WING-BA-ET-EN 5 (ECTS-Credits: 5)
WPF WING-BA-IKS-ING-MG9 5-6 (ECTS-Credits: 5)
WPF WING-MA 1-3 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-BA-AET 5-6 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-MA-EuA 1-4 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-MA-AET 1-4 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-MA-AUT 1-4 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-MA-LE 1-4 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-BA-AUT 5-6 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-BA-EuA 5-6 (ECTS-Credits: 5)
PF EEI-BA-LE 5-6 (ECTS-Credits: 5)
WPF ME-BA-MG3 3-6 (ECTS-Credits: 5)
WPF ME-MA-MG3 1-3 (ECTS-Credits: 5)
PF ET-MA-EET ab 1 (ECTS-Credits: 5)
WPF ET-BA ab 5 (ECTS-Credits: 5)
WPF MT-BA-BV 5 (ECTS-Credits: 5)
WF BPT-MA-E 1-3 (ECTS-Credits: 5)
- Inhalt
- Grundlagen der Topologieanalyse: Stationaritätsbedingungen, Strom-Spannungsformen, verbotene Schalthandlungen
Nicht-isolierende Gleichspannungswandler: Grundlegende Schaltungstopologien, Funktionsweise, Dimensionierung
Isolierende Gleichspannungswandler: Grundlegende Schaltungstopologien, Gleichrichterschaltungen, Transformatoren als Übertrager bzw. Energiespeicher
Leistungshalbleiter: Grundlagen des statischen und dynamischen Verhaltens von MOSFET, IGBT und Dioden; Spezifika von WBG-Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN); Kommutierungsarten; Kurzschluss, Avalanche
Passive Leistungsbauelemente: Induktive Bauelemente (weichmagnetische Kernmaterialien, nichtlineare Eigenschaften, Kernverluste, Wicklungsverluste); Kondensatoren (Technologien und deren Anwendungseigenschaften, sicherer Arbeitsbereich, Brauchbarkeitsdauer, Impedanzverhalten)
Parasitäre Elemente: Niederinduktive Aufbautechniken
Treiber- und Ansteuerschaltungen für Leistungshalbleiter: Grundschaltungen zur Ansteuerung MOS-gesteuerter Bauelemente mit und ohne galvanische Isolation, Schaltungen zur Erhöhung von Störabstand und Treiberleistung, Ladungspumpe, Schutzbeschaltungen, Strommessung, PWM-Modulatoren
Gleichrichter und Leistungsfaktorkorrektur: Phasenan-/abschnittsteuerung, Netzstromverzerrungen, aktive Leistungsfaktorkorrektur, Gleichrichterschaltungen
Wechselrichter: Netzgeführte Stromrichter, Zwei-/Dreipunktwechselrichter, Sinus-Dreieck- und RaumzeigermodulationDie Studierenden können
die Funktionsprinzipien leistungselektronischer Basistopologien mit und ohne galvanische Isolation erklären, einfache leistungselektronische Wandler analysieren und die für ein Systemdesign relevanten elektrischen und thermischen Parameter berechnen, die grundlegenden Eigenschaften verschiedener Schaltungslösungen erklären und diskutieren, die Vor- und Nachteile verschiedener Bauteiltechnologien in einer leistungselektronischen Schaltung bewerten, einfache leistungselektronische Wandler entwerfen.
- Empfohlene Literatur
- Skript
- ECTS-Informationen:
- Credits: 5
- Zusätzliche Informationen
- Erwartete Teilnehmerzahl: 86, Maximale Teilnehmerzahl: 200
www: https://www.lee.tf.fau.de/
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2021/2022:
- Leistungselektronik (LEE-LE-V)
- Institution: Seniorenstudium
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