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Crystal Growth - Lab Work 2 Semiconductor Technology
- Dozent/in
- Prof. Dr.-Ing. Peter Wellmann
- Angaben
- Praktikum
Online/Präsenz 2 SWS, benoteter Schein, Anwesenheitspflicht, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 2
nur Fachstudium, Sprache Deutsch oder Englisch
Zeit und Ort: Do 8:00 - 17:00, 3.71; Bemerkung zu Zeit und Ort: Do-Termine entsprechend der Gruppeneinteilung, ZOOM-VORBESPRECHUNG: https://fau.zoom.us/j/65411763300?pwd=SzUvQVZPVmNRM1plS3VDM2NBd1FqQT09
Vorbesprechung: 20.4.2021, 13:15 - 14:00 Uhr, Raum Zoom-Meeting
- Voraussetzungen / Organisatorisches
- Participants of the Teaching Module
- Inhalt
- Processing and characterization of semiconductor wafers
Surface preparation of Si-wafers
Characterization of various semiconductor and dielectric materials like Si, GaAs, InP, SiC, Al2O3 and CaF2
- ECTS-Informationen:
- Credits: 2
- Zusätzliche Informationen
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester SS 2021:
- Crystal Growth 2 (cgl-2)
- Institution: Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Materialien der Elektronik und der Energietechnologie)
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