Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten
AWA; 4 SWS; n.V.
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Frey, L.
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Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie
SEM; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Anmeldung über StudOn; Di, 14:15 - 15:45, 0.111; Vorbesprechung: 18.10.2016, 14:15 - 15:00 Uhr, 0.111
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WPF ME-MA-SEM-EEI 3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-BA-SEM 3-6
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Scharin-Mehlmann, M.
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Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr]
VORL; 2 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Mi, 8:15 - 9:45, 0.111
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Jank, M.
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Exkursion "Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente"
EX; 1 SWS; Schein; Zeit und Raum n.V.
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Matthus, Ch.D.
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Forschungspraktikum am LEB
SL; Schein; ECTS: 5; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <link wird noch eingefügt>; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <Link wird noch eingefügt>
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Dirnecker, T.
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Halbleiterbauelemente
VORL; 2 SWS; ECTS: 5; Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente; Di, 10:15 - 11:45, H9, (außer Di 7.2.2017); Einzeltermin am 24.10.2016, 16:15 - 17:45, HH
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WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
PF WING-BA-IKS 5
WPF MT-BA-BV ab 5
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Frey, L.
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Tutorium Halbleiterbauelemente
TUT; 2 SWS; Mo, 18:00 - 19:30, HH; ab 12.12.2016; Erster Termin: 12.12.2016
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PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF WING-BA-IKS 5
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Stolzke, T.
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Übungen zu Halbleiterbauelemente
UE; 2 SWS; Mo, 16:15 - 17:45, HH, (außer Mo 17.10.2016, Mo 24.10.2016); Einzeltermin am 7.2.2017, 10:15 - 11:45, H9
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WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF WING-BA-IKS 5
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
WPF MT-BA ab 5
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Stolzke, T.
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Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES]
SEM; ben. Schein; ECTS: 2,5; Offene Seminarthemen finden Sie im StudOn-Bereich zum Seminar unter: https://www.studon.fau.de/crs1620755.html; Fr, 14:15 - 15:45, 0.111, (außer Fr 27.1.2017); Einzeltermin am 27.1.2017, 12:00 - 14:50, 0.111; Bitte beachten Sie den Termin zur Vorbesprechung; Vorbesprechung: 21.10.2016, 14:00 - 14:30 Uhr, 0.111
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Dirnecker, T.
u.a.
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Kolloquium zur Halbleitertechnologie und Messtechnik
KO; 1 SWS; Mo, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Siehe Vortragsliste auf der Homepage des LEB.
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Bauer, A.
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Leistungshalbleiterbauelemente
VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Mi, 12:15 - 13:45, 0.111
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WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF EEI-MA-EuA 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3
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Erlbacher, T.
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Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente
UE; 2 SWS; Mi, 14:15 - 15:45, 0.111
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WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
WPF EEI-MA-EuA 1-4
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3
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Albrecht, M.
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Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling
VORL; 2 SWS; Fr, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
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WF EEI-MA ab 1
WF ME-DH ab 7
WF AOT-GL ab 1
PF NT-MA 1
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Erdmann, A.
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Übung zu Optical Lithography
UE; 2 SWS; Für Master AOT verpflichtende Zusatzveranstaltung, für andere Studiengänge freiwillig; Mo, 14:15 - 15:45, Hans-Georg-Waeber-Saal, 0.157-115
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WF AOT-GL ab 1
PF NT-MA 1
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Erdmann, A.
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Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik
PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik; Das Praktikum findet ggf. als Blockpraktikum in der vorlesungsfreien Zeit statt. Termin nach Vereinbarung. Anmeldung über StudOn; Vorbesprechung: 21.10.2016, 15:00 - 15:30 Uhr, 0.111
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WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 1-4
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Dirnecker, T.
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Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro]
PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar!!; Vorbesprechung: 26.10.2016, 16:00 - 17:00 Uhr, BR 1.161
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WPF EEI-BA-MIK 5-6
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Scharin-Mehlmann, M.
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| n.V. | | | |
Beck, Ch. |
| Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt |
| n.V. | | | |
Scharin-Mehlmann, M. |
| Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt |
| n.V. | | | |
Frickel, J. Glein, R. |
| Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt |
| n.V. | | | |
Rasim, F.R. |
| Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt |
Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente [Prak TeSi]
PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Hinweis: Das Praktikum wird im Wintersemester 2016/17 nicht angeboten; Zeit und Raum n.V.
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WPF ME-MA-P-EEI 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA ab 1
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Dirnecker, T.
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Reinraumpraktikum [RRPrak]
PR; 6 SWS; ECTS: 5; Teilnahme an der Vorbesprechung am 20.10. ist verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten donnerstags werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.
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PF NT-BA 5
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Scharin-Mehlmann, M.
Matthus, Ch.D.
Dirnecker, T.
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| Do | 8:00 - 11:00, 13:00 - 16:00 | 0.111 | |
Matthus, Ch.D. |
| Do | 8:00 - 11:00, 13:00 - 16:00 | BR 1.161 | |
Scharin-Mehlmann, M. |
| Do Do | 9:00 - 13:00 14:00 - 18:00 | BR 1.161, 0.111 BR 1.161 | |
Matthus, Ch.D. Scharin-Mehlmann, M. |
| Findet u.a. im Reinraum des LEB statt. Gruppeneinteilung am Semesterbeginn. |
Seminar über Bachelorarbeiten [Sem BA]
SEM; 2 SWS; ECTS: 2,5; Fr, 10:15 - 11:45, 0.111; bis zum 21.4.2017
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Dirnecker, T.
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Seminar über Masterarbeiten (Sem MA)
SEM; 2 SWS; Fr, 12:15 - 13:45, 0.111; bis zum 21.4.2017; (Termine werden bekannt gegeben und sind auf der Homepage des Lehrstuhls zu finden
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Matthus, Ch.D.
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Technik der Halbleiterfertigungsgeräte
VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Vorbesprechung in Seminarsaal 1 am Fraunhofer IISB, Schottkystr. 10; Vorbesprechung: 19.10.2016, 16:00 - 16:30 Uhr
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WF EEI-MA ab 1
WF EEI-BA ab 5
WPF ME-BA-MG10 3-6
WPF ME-MA-MG10 1-3
WF WW-DH-EL 7-13
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Pfitzner, L.
Schmutz, W.
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Technologie integrierter Schaltungen
VORL; 3 SWS; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Fr, 12:15 - 14:30, Hans-Georg-Waeber-Saal
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WPF BPT-MA-E 1-3
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
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Frey, L.
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Übung zu Technologie integrierter Schaltungen
UE; 1 SWS; Veranstaltung nach Absprache evtl. 14-tägig; Mo, 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Die Übung findet 14-tägig als 2-stündige Veranstaltung statt. Der Beginn der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben,
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PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI ab 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3
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Matthus, Ch.D.
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Technologie medizinischer Mikrosysteme
VORL; 2 SWS; ECTS: 2,5; Di, 16:15 - 17:45, 0.111
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WPF MT-MA-MEL ab 2
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Dirnecker, T.
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Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb)
VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; in Kooperation mit Prof. Schmidt-Landsiedel (TU München), Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)
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Ryssel, H.
u.a.
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Virtuelle Vorlesung Technologie und Architektur mikroelektronischer Schaltungen (vhb)
VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)
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Ryssel, H.
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Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen
VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 4; Do, 16:15 - 17:45, 0.111
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WPF BPT-MA-E 1-3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
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Pichler, P.
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Übung zu Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen
UE; 1 SWS; ben. Schein; Erster Termin der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben.
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WPF BPT-MA-E 1-3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
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Pichler, P.
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