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Einrichtungen >> Technische Fakultät (TF) >> Department Elektrotechnik-Elektronik-Informationstechnik (EEI) >>

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

 

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten

AWA; 4 SWS; n.V.
  Frey, L.  
 

Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie

SEM; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Anmeldung über StudOn; Di, 14:15 - 15:45, 0.111, (außer Di 23.1.2018); Einzeltermin am 23.1.2018, 13:50 - 16:10, 0.111
WPF ME-MA-SEM-EEI 3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-BA-SEM 3-6
Scharin-Mehlmann, M.  
 

Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr]

VORL; 2 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Mi, 8:15 - 9:45, 0.111
  Jank, M.  
 

Exkursion "Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente"

EX; 1 SWS; Schein; Zeit und Raum n.V.
  Matthus, Ch.D.  
 

Forschungspraktikum am LEB

SL; Schein; ECTS: 5; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <link wird noch eingefügt>; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <Link wird noch eingefügt>
  Dirnecker, T.  
 

Halbleiterbauelemente

VORL; 2 SWS; ECTS: 5; Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente; Mo, 14:15 - 15:45, H9; Einzeltermin am 18.10.2017, 12:15 - 13:45, H9; bis zum 29.1.2018
WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
PF WING-BA-IKS 5
WPF MT-BA-BV ab 5
Frey, L.  
 

Tutorium Halbleiterbauelemente

TUT; 2 SWS; Mi, 14:15 - 15:45, HG; Erster Termin: 13.12.2017
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF WING-BA-IKS 5
Stolzke, T.  
 

Übungen zu Halbleiterbauelemente

UE; 2 SWS; Mi, 12:15 - 13:45, H9; Einzeltermin am 5.2.2018, 14:15 - 15:45, H9; ab 25.10.2017
WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF WING-BA-IKS 5
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
WPF MT-BA ab 5
Stolzke, T.  
 

Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES]

SEM; ben. Schein; ECTS: 2,5; Fr, 14:15 - 15:45, 0.111; Bitte beachten Sie den Termin zur Vorbesprechung; Vorbesprechung: 20.10.2017, 15:00 - 15:30 Uhr, 0.111
  Niebauer, M.
Dirnecker, T.
 
 

Kolloquium zur Halbleitertechnologie und Messtechnik

KO; 1 SWS; Mo, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Siehe Vortragsliste auf der Homepage des LEB.
  Bauer, A.  
 

Leistungshalbleiterbauelemente

VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Di, 12:15 - 13:45, 0.111
WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF EEI-MA-EuA 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3
Erlbacher, T.  
 

Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente

UE; 2 SWS; Mi, 12:15 - 13:45, 0.111
WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
WPF EEI-MA-EuA 1-4
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3
Albrecht, M.  
 

Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling

VORL; 2 SWS; Do, 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
WF EEI-MA ab 1
WF ME-DH ab 7
WF AOT-GL ab 1
PF NT-MA 1
Erdmann, A.  
 

Übung zu Optical Lithography

UE; 2 SWS; Für Master AOT verpflichtende Zusatzveranstaltung, für andere Studiengänge freiwillig; Do, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Mo, 14:15 - 15:45, 0.157-115
WF AOT-GL ab 1
PF NT-MA 1
Erdmann, A.  
 

Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik

PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik; Blockveranstaltung 26.2.2018-2.3.2018 Mo-Fr, 8:00 - 16:00, 0.111; Blockveranstaltung 26.2.2018-2.3.2018 Mo-Do, 13:00 - 15:00, BR 1.161; Blockveranstaltung 27.2.2018-1.3.2018 Di-Do, 8:00 - 11:30, BR 1.161; Das Praktikum findet als Blockpraktikum in der Zeit vom 26.02. - 02.03.2018 statt. Anmeldung über StudOn; Vorbesprechung: 20.10.2017, 14:00 - 14:30 Uhr, 0.111
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 1-4
Niebauer, M.
u.a.
 
 

Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro]

PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar!!; Vorbesprechung: 19.10.2017, 14:00 - 14:45 Uhr, BR 1.161
WPF EEI-BA-MIK 5-6 Niebauer, M.  
     n.V.    Rasim, F.R. 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
     n.V.    Beck, Ch. 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
     n.V.    Scharin-Mehlmann, M. 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
     n.V.    Frickel, J.
Glein, R.
 
 Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt
 

Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente [Prak TeSi]

PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Hinweis: Das Praktikum wird im Wintersemester 2017/18 nicht angeboten; Zeit und Raum n.V.
WPF ME-MA-P-EEI 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA ab 1
Dirnecker, T.  
 

Reinraum- und Halbleiterpraktikum [RRPrak]

PR; 6 SWS; ECTS: 5; Teilnahme an der Vorbesprechung am 19.10. ist verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten donnerstags werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.
PF NT-BA 5 Marhenke, J.
Scharin-Mehlmann, M.
Dirnecker, T.
 
     Do8:00 - 11:00, 13:00 - 16:000.111  Matthus, Ch.D. 
     Do8:00 - 11:00, 13:00 - 16:00BR 1.161  Scharin-Mehlmann, M. 
     Do
Do
9:00 - 13:00
14:00 - 18:00
BR 1.161, 0.111
BR 1.161
  Matthus, Ch.D.
Scharin-Mehlmann, M.
 
 Findet u.a. im Reinraum des LEB statt. Gruppeneinteilung am Semesterbeginn.
 

Seminar über Bachelorarbeiten [Sem BA]

SEM; 2 SWS; ECTS: 2,5; Fr, 10:15 - 11:45, 0.111
  Dirnecker, T.  
 

Seminar über Masterarbeiten (Sem MA)

SEM; 2 SWS; Fr, 12:15 - 13:45, 0.111; (Termine werden bekannt gegeben und sind auf der Homepage des Lehrstuhls zu finden
  Matthus, Ch.D.  
 

Technik der Halbleiterfertigungsgeräte

VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Vorbesprechung in Seminarsaal 1 am Fraunhofer IISB, Schottkystr. 10
WF EEI-MA ab 1
WF EEI-BA ab 5
WPF ME-BA-MG10 3-6
WPF ME-MA-MG10 1-3
WF WW-DH-EL 7-13
Pfitzner, L.
Schmutz, W.
 
 

Technologie integrierter Schaltungen

VORL; 3 SWS; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Fr, 12:15 - 14:30, Hans-Georg-Waeber-Saal
WPF BPT-MA-E 1-3
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
Frey, L.  
 

Übung zu Technologie integrierter Schaltungen

UE; 1 SWS; Veranstaltung nach Absprache evtl. 14-tägig; erster Übungstermin am 23.10.; Mo, 8:15 - 9:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Die Übung findet 14-tägig als 2-stündige Veranstaltung statt. Der Beginn der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben,
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI ab 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3
Matthus, Ch.D.  
 

Technologie medizinischer Mikrosysteme

VORL; 2 SWS; ECTS: 2,5; zugehöriges Modul "Mikrosysteme der Medizintechnik" kann ab dem WS17/18 nicht mehr angeboten werden; Vorbesprechung: 17.10.2017, 8:15 - 9:45 Uhr, 0.111
WPF MT-MA-MEL ab 2 Dirnecker, T.  
 

Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb)

VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; in Kooperation mit Prof. Schmidt-Landsiedel (TU München), Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)
  Ryssel, H.
u.a.
 
 

Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen

VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 4; nach Vereinbarung (Kontakt: peter.pichler@iisb.fraunhofer.de)
WPF BPT-MA-E 1-3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
Pichler, P.  
 

Übung zu Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen

UE; 1 SWS; ben. Schein; Erster Termin der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben.
WPF BPT-MA-E 1-3
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
Pichler, P.  


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