In Kürze...

• Technologie und Simulation mikroelektronischer Bauelemente und Schaltkreise auf Silicium- und Siliciumkarbid (SiC)-Basis

• Entwicklung von Prozessschritten

• Entwicklung von Sensoren und Aktoren

• Leistungselektronische und mechatronische Systeme

• Halbleiterfertigungsgeräte und Materialien

• Simulation von Geräten und Fertigungsschritten

• Kontaminationsanalytik und Fehleranalyse

• Ionen- und Elektronenstrahlfeinbearbeitung (FIB)

Weitere Informationen auch unter:

• Forschungsschwerpunkte und Dienstleistungen auf der Homepage des Lehrstuhls http://www.leb.eei.uni-erlangen.de/forschung/index.php

• Liste aller am Lehrstuhl angefertigten Studien- und Diplomarbeiten http://www.leb.eei.uni-erlangen.de/lehre/arbeiten/index.php

• Liste aller am Lehrstuhl angefertigten Dissertationen http://www.leb.eei.uni-erlangen.de/lehrstuhl/dissertationen/index.php

• Halbleiterprozesstechnik (1000m² Klasse 100 Reinraum, 150mm Siliciumtechnologie, 0,8µm CMOS-Prozess, Sonderprozesse bis Scheibengrösse 300mm verfügbar, Labor für Ionenimplantation)

• Elektrische Messtechnik (u.a. Bauelementecharakterisierung mit manuellen und automatischen Waferprobern, Lebensdauermesstechnik (Elymat, µ-PCD), Oxidcharakterisierung, Elektronenstrahltester)

• Physikalische und chemische Analytik (FIB, REM, TEM, AFM, SIMS/SNMS, XPS, RBS, div. massenspektrometrische Verfahren, TXRF(TRFA), optische Partikel-/Defektkontrolle)

• Parallelrechner, Workstations für Simulation und Design, Entwicklungswerkzeuge für Anlagen- und Messplatzsteuerungen (SieFuzzy, SieMatic, µC Entwicklungsumgebung, LabView)

vielfältige Kooperationen im In- und Ausland, u.a.:

• Infineon Technologies (München, Villach)

• Nanoworld Services (Erlangen)

• ELMOS (Dortmund)

• ZMD (Dresden)

• Texas Instruments, Freising

• Universitäten: Osaka (Japan), Trient (Italien), Bochum, München (UniBW), Zürich (ETH), IIT Kharagpur (Indien), North Carolina State University (USA)

• Ungarische und Russische Akademien der Wissenschaften

• Forschungsinstitute: Fraunhofer IISB (Erlangen), IMEC (Leuven, Belgien), CEA-LETI (Grenoble, Frankreich), Tyndall Research Institute (Cork, Irland)

Jahresberichte des Lehrstuhls unter http://www.leb.eei.uni-erlangen.de/lehrstuhl/jahresberichte/index.php

• Anorganische Materialien durch Gasphasensynthese: Interdisziplinäre Ansätze zu Entwicklung, Verständnis und Kontrolle von CVD-Verfahren
  
• Chemische Dampfphasenabscheidung von Schichten hoher Dielektrizitätskonstanten am Beispiel Barium-Strontium-Titanat
  
• CVD-Prozesse mit neuartigen metallorganischen Precursoren zur Herstellung von hoch-epsilon Gatedielektrika und metallischen Gateelektroden zukünftiger CMOS-Generationen
  
• CVD-Prozesse mit neuartigen metallorganischen Precursoren zur Herstellung von hoch-epsilon Gatedielektrika und metallischen Gateelektroden zukünftiger CMOS-Generationen
  
• Defekte bei der Ionenimplantation in Silicium
  
• Development of a microsystem for the nebulization of fluids
  
• Distribution, segregation and dose-loss of dopants in deca-nanometer SOI structures
  
• Engineering of Advanced Materials - Engineering of Nanoelectronic Materials - Säule B6 (Druckbare Elektronik)
  
• Entwicklung neuer Rastersonden
  
• Entwicklung von optischen Modellen für Polysilicium-Schichten unter hohen Temperaturen für die Durchführung von spektralellipsometrischen in situ-Messungen während chemischer Gasphasenabscheidung
  
• Experimentelle Bestimmung der thermodynamischen und kinetischen Eigenschaften von Gitterleerstellen in Silicium
  
• Experimentelle Demonstration eines bipolaren Hochspannungsschalters mit beidseitig gesteuerten Emitterstrukturen
  
• Experimentelle Demonstration eines bipolaren Hochspannungsschalters mit beidseitig gesteuerten Emitterstrukturen
  
• Grundlagen zur Entwicklung von Hochvolt-Transistorstrukturen (VBR < ca. 100 V) zur Integration in einen 0.18 µm CMOS-Basisprozeß
  
• Herstellung und Untersuchung von organischen bzw. organometallischen Schichten zur Anwendung als nichtflüchtige Speicherzellen
  
• High Throughput Atomic Layer CVD Batch Equipment using Remote Plasma Enhanced Processing and In-Situ Chamber Chain
  
• Modellierung und Simulation der Diffusion von Aluminium in Silicium
  
• Semi-automatische Co-Optimierung von lithographischen Masken und Beleuchtungseinstellungen
  
• SiC als Halbleitermaterial: Alternative Wege in Züchtung und Dotierung
  
• Simulationsmodelle zur Beschreibung von Lithographieprozessen mithilfe von Mask Alignern
  
• Systemintegration für neue automobile Bordnetze SINA42 V
  
• Untersuchung des Aktivierungs- und Diffusionsverhaltens von Bor in polykristallinen SiGe-Gate-Elektroden für MOS-Transistoren
  
• Vorlesung für die Virtuelle Hochschule Bayern (vhb)