| Sonderforschungsbereich 292: Projekt A5 (SiC) SiC ist ein Halbleiter mit großer Bandlücke, dessen Eigenschaften ihn besonders für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen interessant machen. In diesem Forschungsprojekt werden auf Basis der Dichtefunktionaltheorie die mikroskopischen Eigenschaften dieses Materials untersucht. Ein Schwerpunkt liegt dabei in der Erstellung einer Hierarchie sowohl intrinsischer Defekte als auch von Defekten mit Bor, das häufig zur Dotierung verwendet wird. Ausgehend von dieser Hierarchie ist eine weitere Analyse der Diffusionsmechanismen der einzelnen Atomsorten möglich. Dies ermöglicht beispielsweise ein tiefergehendes Verständnis der bei der Dotierung und dem anschließenden Ausheizen auftretenden Diffusionseffekte, die die implantierten Profile zerstören können. | Projektleitung:
Prof. Dr. Oleg Pankratov
Beteiligte:
PD Dr. Michel Bockstedte, Dr. Alexander Mattausch, Dipl.-Phys. Matthias Heid, PD Dr. Roland Winkler
Stichwörter:
SiC; Defekte; Diffusion
Laufzeit: 1.1.1998 - 31.12.2001
Förderer:
Deutsche Forschungsgemeinschaft
Kontakt:
Pankratov, Oleg
E-Mail: Oleg.Pankratov@physik.uni-erlangen.de
| | Publikationen |
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| Bockstedte, Michel ; Pankratov, Oleg: Ab initio Study of Intrinsic Point Defects and Dopant-Defect Complexes in SiC: Application to Boron Diffusion. In: Materials Science Forum 338-342 (2000), S. 949-952 | | Bockstedte, Michel ; Mattausch, Alexander ; Pankratov, Oleg: Boron in SiC: Structure and Kinetics. In: Materials Science Forum 353-356 (2001), S. 447-450 | | Mattausch, Alexander ; Bockstedte, Michel ; Pankratov, Oleg: Interstitials in SiC: A Model for the DII center. In: Physica B 308-310 (2001), S. 656 | | Mattausch, Alexander ; Bockstedte, Michel ; Pankratov, Oleg: Self Diffusion in SiC: the Role of intrinsic Point Defects. In: Materials Science Forum 353-356 (2001), S. 323-326 | | Chen, C. Q. ; Helbig, Reinhard ; Winkler, Roland ; Wysmolek, A. ; Potemski, M.: Zeeman effect of D1 bound exciton in 4H-SiC. In: Materials Science Forum 353-356 (2001), S. 361-364 | | Heid, Matthias: Ab-initio berechnete Hyperfeinparameter in SiC. Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Dipl-Arb., 2001. - 73 Seiten. | | Mattausch, Alexander ; Bockstedte, Michel ; Pankratov, Oleg: Carbon Interstitials in SiC: A Model for the DII Center. In: Materials Science Forum 389-393 (2002), S. 481-485 | | Bockstedte, Michel ; Heid, Matthias ; Mattausch, Alexander ; Pankratov, Oleg: The Nature and Diffusion of Intrinsic Point Defects in SiC. In: Materials Science Forum 389-393 (2002), S. 471-476 |
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